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1. (WO2018047770) 半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/047770    International Application No.:    PCT/JP2017/031795
Publication Date: Fri Mar 16 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue Sep 05 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 23/12
G03F 7/023
H01L 21/56
Applicants: SUMITOMO BAKELITE CO., LTD.
住友ベークライト株式会社
Inventors: TANAKA Yuma
田中 裕馬
OKAMYO Shusaku
岡明 周作
KENMOCHI Tomonori
釼持 友規
Title: 半導体装置の製造方法
Abstract:
表面に接続端子(30)を有した複数の半導体チップ(40)が、封止材(10)の内部に埋め込まれた構造体を準備する工程と、構造体における半導体チップ(40)の接続端子(30)が埋め込まれている側の面上における領域に第1の絶縁性樹脂膜(60)を形成する工程と、第1の絶縁性樹脂膜(60)および構造体に、接続端子(30)の一部を露出させる第1の開口部(250)を形成する工程と、露出した接続端子(30)と、第1の絶縁性樹脂膜(60)とを覆うように導電膜(110)を形成する工程と、導電膜(110)の表面に第2の絶縁性樹脂膜(70)を形成し、第2の絶縁性樹脂膜(70)に導電膜(110)の一部を露出させる第2の開口部(300)を形成する工程と、を含み、第2の開口部(300)を形成する工程において、第2の絶縁性樹脂膜(70)における半導体チップ(40)上に形成された領域の外部に第2の開口部(300)を形成する。また、第1の絶縁性樹脂膜(60)を構成する樹脂材料として、アルカリ可溶性樹脂を含む感光性樹脂組成物であって、かかる感光性樹脂組成物からなる液滴について、懸滴法により測定した該液滴の表面張力が、20mN/m以上45mN/m以下となるものを使用することを特徴としている。