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1. (WO2018047659) 電力用半導体装置
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国際公開番号: WO/2018/047659 国際出願番号: PCT/JP2017/030762
国際公開日: 15.03.2018 国際出願日: 28.08.2017
IPC:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
48
動作中の固体本体からまたは固体本体へ電流を導く装置,例.リードまたは端子装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
別芝 範之 BESSHI, Noriyuki; JP
石井 隆一 ISHII, Ryuichi; JP
福 優 FUKU, Masaru; JP
藤本 裕史 FUJIMOTO, Yuji; JP
平田 祐介 HIRATA, Yusuke; JP
代理人:
曾我 道治 SOGA, Michiharu; JP
梶並 順 KAJINAMI, Jun; JP
上田 俊一 UEDA, Shunichi; JP
優先権情報:
2016-17435207.09.2016JP
発明の名称: (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) 電力用半導体装置
要約:
(EN) This power semiconductor device is provided with a signal terminal and a power semiconductor element, wherein: the power semiconductor element is disposed on a substrate; the signal terminal has a main body part and a joint part, and has a portion held by a terminal block; the joint part has a tip section and a base section; the tip section has a pad portion exposed to the terminal block and connected with signal lines; the base section has a thin portion having a smaller vertical thickness than the pad portion; and the upper surface of the thin portion is positioned lower than the upper surface of the pad portion and is covered with a resin material forming the terminal block.
(FR) Ce dispositif à semi-conducteur de puissance est pourvu d'une borne de signal et d'un élément semi-conducteur de puissance, dans lequel : l'élément semi-conducteur de puissance est disposé sur un substrat; la borne de signal a une partie de corps principal et une partie de joint, et a une portion maintenue par un bloc de borne; la partie de joint a une section de pointe et une section de base; la section de pointe a une portion de plot exposée au bloc de borne et connectée à des lignes de signal; la section de base a une portion mince ayant une épaisseur verticale plus petite que la portion de plot; et la surface supérieure de la portion mince est positionnée plus bas que la surface supérieure de la portion de plot et est recouverte d'un matériau de résine formant le bloc de borne.
(JA) 電力用半導体装置は、信号端子及び電力用半導体素子を備え、電力用半導体素子は基板の上に配置され、信号端子は、本体部と接合部とを有し、その一部が端子台により保持され、接合部は先端部と基部とを有し、先端部に、端子台から露出して信号配線が接続されるパッド部を有し、基部は、パッド部よりも上下方向の厚みが薄い薄肉部を有し、薄肉部の上面は、パッド部の上面よりも低い位置に設けられて、端子台を形成する樹脂材料で覆われている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)