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1. (WO2018047615) 犠牲膜形成方法、基板処理方法および基板処理装置
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国際公開番号: WO/2018/047615 国際出願番号: PCT/JP2017/029993
国際公開日: 15.03.2018 国際出願日: 22.08.2017
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神北町1番地の1 1-1, Tenjinkita-machi, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
発明者:
尾辻 正幸 OTSUJI, Masayuki; JP
代理人:
特許業務法人あい特許事務所 AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS; 大阪府大阪市中央区南本町二丁目6番12号 サンマリオンNBFタワー21階 Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054, JP
優先権情報:
2016-17788412.09.2016JP
発明の名称: (EN) SACRIFICIAL FILM FORMING METHOD, SUBSTRATE TREATMENT METHOD, AND SUBSTRATE TREATMENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM SACRIFICIEL, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 犠牲膜形成方法、基板処理方法および基板処理装置
要約:
(EN) Disclosed is a sacrificial film forming method wherein a liquid film 26 of a sacrificial polymer solution 25 is heated from the substrate side, said sacrificial polymer solution covering the surface of a substrate W having a pattern P formed thereon, and the solution in contact with the surface of the substrate is evaporated, thereby drying the liquid film in a state wherein the liquid film is held by at least a pattern leading end portion excluding a base portion, and forming a sacrificial film. Also disclosed are a substrate treatment method and a substrate treatment device, whereby the surface of the substrate is treated, while suppressing or eliminating, using the sacrificial film thus formed, a collapse of the pattern.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation de film sacrificiel consistant à chauffer un film liquide (26) d'une solution polymère sacrificielle (25) depuis le côté substrat, ladite solution polymère sacrificielle recouvrant la surface d'un substrat W sur lequel un motif P est formé, puis à faire évaporer la solution en contact avec la surface du substrat, séchant donc le film liquide dans un état dans lequel le film liquide est maintenu par au moins une partie d'extrémité avant de motif à l'exclusion d'une partie de base, et à former un film sacrificiel. L'invention concerne également un procédé et un dispositif de traitement de substrat permettant de traiter la surface du substrat, tout en supprimant ou éliminant, au moyen du film sacrificiel ainsi formé, un effondrement du motif.
(JA) 犠牲膜形成方法は、パターンPが形成された基板Wの表面を覆う、犠牲ポリマ溶液25の液膜26を基板側から加熱して、基板の表面に接する溶液を蒸発させることにより、液膜を、パターンの、基部を除く少なくとも先端部に保持させた状態で乾燥させて、犠牲膜を形成し、基板処理方法および基板処理装置は、形成した犠牲膜を利用してパターンの倒壊を抑制または防止しながら、基板の表面を処理する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)