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1. (WO2018047595) シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/047595    国際出願番号:    PCT/JP2017/029484
国際公開日: 15.03.2018 国際出願日: 17.08.2017
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
発明者: MIZUSAWA Yasushi; (JP)
代理人: YOSHIMIYA Mikio; (JP).
KOBAYASHI Toshihiro; (JP)
優先権情報:
2016-174640 07.09.2016 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE TRANCHE ÉPITAXIALE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
要約: front page image
(EN)The present invention pertains to a method for manufacturing a silicon epitaxial wafer, the method comprising: a step for pre-preparing a test silicon wafer, forming a multilayer film on the surface of the test silicon wafer, and measuring the warping direction and the warp W of the silicon wafer having the multilayer film formed thereon; and a step for selecting a silicon wafer, which is a substrate for forming a device, and the conditions for forming an epitaxial layer on the silicon wafer such that a warp that cancels the measured warp W is formed in the direction opposite to the measured warping direction, and under the selected conditions for forming an epitaxial layer, forming the epitaxial layer on the surface on which the multilayer film is formed on the selected silicon wafer which is a substrate for forming a device. Accordingly, provided is a method for manufacturing a silicon epitaxial wafer, the method being capable of manufacturing a silicon epitaxial wafer in which the warping that occurs when a multilayer film is formed thereon is reduced.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche épitaxiale de silicium, le procédé comprenant: une étape de pré-préparation d'une tranche de silicium de test, former un film multicouche sur la surface de la tranche de silicium de test, et mesurer la direction de gauchissement et la chaîne W de la tranche de silicium sur laquelle est formé le film multicouche; et une étape consistant à sélectionner une tranche de silicium, qui est un substrat pour former un dispositif, et les conditions de formation d'une couche épitaxiale sur la tranche de silicium de telle sorte qu'une chaîne qui annule la chaîne mesurée W est formée dans la direction opposée à la direction de gauchissement mesurée, et dans les conditions sélectionnées pour former une couche épitaxiale, former la couche épitaxiale sur la surface sur laquelle le film multicouche est formé sur la tranche de silicium sélectionnée qui est un substrat pour former un dispositif. En conséquence, l'invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche épitaxiale de silicium, le procédé étant apte à fabriquer une tranche épitaxiale de silicium dans laquelle le gauchissement qui se produit lorsqu'un film multicouche est formé sur celle-ci est réduit.
(JA)本発明は、予め、試験用のシリコンウェーハを準備し、該試験用のシリコンウェーハの表面に前記多層膜を形成し、該多層膜を形成したシリコンウェーハの反り方向及び反り量(Warp)Wを測定する工程と、前記測定した反り方向とは反対方向に前記測定した反り量Wを相殺する反りが形成されるように、デバイス形成用基板であるシリコンウェーハと該デバイス形成用基板であるシリコンウェーハ上に形成するエピタキシャル層の形成条件とを選択し、前記選択したデバイス形成用基板であるシリコンウェーハの前記多層膜を形成する表面上に前記選択したエピタキシャル層の形成条件で前記エピタキシャル層を形成する工程を含むシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法である。これにより、多層膜を形成したときの反りが低減されるシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)