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1. (WO2018047590) 結晶欠陥評価方法
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国際公開番号: WO/2018/047590 国際出願番号: PCT/JP2017/029419
国際公開日: 15.03.2018 国際出願日: 16.08.2017
IPC:
H01L 21/66 (2006.01) ,C30B 29/06 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66
製造または処理中の試験または測定
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02
元素
06
シリコン
出願人:
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
斉藤 久之 SAITO Hisayuki; JP
代理人:
好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio; JP
小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro; JP
優先権情報:
2016-17464907.09.2016JP
発明の名称: (EN) CRYSTALLINE DEFECT EVALUATION METHOD
(FR) PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE DÉFAUT CRISTALLIN
(JA) 結晶欠陥評価方法
要約:
(EN) The present invention provides a crystalline defect evaluation method for evaluating the distribution of a crystalline defect present in a silicon wafer, the crystalline defect evaluation method characterized by: forming an oxide film with the same thickness as the size of a crystalline defect to be evaluated on the silicon wafer, measuring a GOI characteristic of the silicon wafer, and determining the crystalline defect distribution of the crystalline defect size to be evaluated in the silicon wafer from a GOI characteristic measurement result, assuming that in an area in which the GOI characteristic is decreased, a crystalline defect of a size comparable to the thickness of the oxide film is present. Thus, the crystalline defect evaluation method makes it possible to determine the crystalline defect distribution even for a crystalline defect size of not more than 10 nm.
(FR) La présente invention concerne un procédé d'évaluation de défaut cristallin pour évaluer la distribution d'un défaut cristallin présent dans une tranche de silicium, le procédé d'évaluation de défaut cristallin étant caractérisé par : la formation d'un film d'oxyde ayant la même épaisseur que la taille d'un défaut cristallin à évaluer sur la tranche de silicium, la mesure d'une caractéristique GOI de la tranche de silicium, et la détermination de la distribution de défaut cristallin de la taille de défaut cristallin à évaluer dans la tranche de silicium à partir d'un résultat de mesure de caractéristique GOI, en supposant que dans une zone dans laquelle la caractéristique GOI est diminuée, un défaut cristallin d'une taille comparable à l'épaisseur du film d'oxyde est présent. Ainsi, le procédé d'évaluation de défaut cristallin permet de déterminer la distribution de défaut cristallin même pour une taille de défaut cristallin inférieur ou égal à 10 nm.
(JA) 本発明は、シリコンウェーハ内に存在する結晶欠陥の分布を評価する結晶欠陥評価方法であって、評価する結晶欠陥のサイズと同じ厚さの酸化膜を前記シリコンウェーハに形成して前記シリコンウェーハのGOI特性を測定し、前記GOI特性が低下した領域では前記酸化膜の厚さと同等のサイズの結晶欠陥が存在していたと見做して、前記GOI特性の測定結果から前記シリコンウェーハ内の評価する結晶欠陥サイズの結晶欠陥分布を求めることを特徴とする結晶欠陥評価方法を提供する。これにより、10nm以下の結晶欠陥サイズであっても、結晶欠陥の分布を求めることができる結晶欠陥評価方法が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)