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1. (WO2018047561) 電力素子の駆動回路
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/047561    国際出願番号:    PCT/JP2017/028656
国際公開日: 15.03.2018 国際出願日: 08.08.2017
IPC:
H03K 17/567 (2006.01), H02M 1/08 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
発明者: OHASHI, Hidetomo; (JP)
代理人: HOSHINO, Hiroshi; (JP)
優先権情報:
2016-176892 09.09.2016 JP
発明の名称: (EN) DRIVE CIRCUIT FOR POWER ELEMENT
(FR) CIRCUIT D'ATTAQUE DESTINÉ À UN ÉLÉMENT DE PUISSANCE
(JA) 電力素子の駆動回路
要約: front page image
(EN)The present invention reduces switching loss at turn-off of an IGBT in a drive circuit for driving on/off of the IGBT by applying a positive bias or a negative bias to a gate of the IGBT. A drive circuit is provided with: first and second semiconductor switch elements which are connected in series and interposed between a power supply terminal and a ground terminal, a series connection point therebetween being provided to connect to a gate of the IGBT; and third and fourth semiconductor switch elements which are connected in series and interposed between the power supply terminal and the ground terminal, a series connection point therebetween being provided to connect to an emitter of the IGBT. The drive circuit is further provided with a control circuit which controls on/off of the IGBT by turning on or off each of the first to fourth semiconductor switch elements in response to a control signal while associating the first to fourth semiconductor switch elements with each other. An element having a larger on resistance than the second to fourth semiconductor switch elements is used especially as the first semiconductor switch element.
(FR)La présente invention réduit la perte de commutation à l'arrêt d'un IGBT dans un circuit d'attaque destiné à activer/désactiver l'attaque de l'IGBT par l'application d'une polarisation positive ou d'une polarisation négative à une grille de l'IGBT. Un circuit d'attaque comprend : des premier et deuxième éléments de commutation à semi-conducteur qui sont connectés en série et interposés entre une borne d'alimentation électrique et une borne de masse, un point de connexion en série entre eux étant prévu pour se connecter à une grille de l'IGBT; et des troisième et quatrième éléments de commutation à semi-conducteur qui sont connectés en série et interposés entre la borne d'alimentation électrique et la borne de masse, un point de connexion en série entre eux étant prévu pour se connecter à un émetteur de l'IGBT. Le circuit d'attaque est en outre pourvu d'un circuit de commande qui commande l'activation/désactivation de l'IGBT par la mise sous tension ou hors tension de chacun des premier à quatrième éléments de commutation à semi-conducteur en réponse à un signal de commande tout en associant les premier à quatrième éléments de commutation à semi-conducteur l'un à l'autre. Un élément ayant une résistance supérieure à celle des deuxième à quatrième éléments de commutation à semi-conducteur est utilisé en particulier en tant que premier élément de commutation à semi-conducteur.
(JA)IGBTのゲートに正バイアスまたは負バイアスを印加してIGBTをオン・オフ駆動する駆動回路において、IGBTのターン・オフ時におけるスイッチング損失を低減する。直列に接続されて電源端子と接地端子との間に介装されると共に、その直列接続点をIGBTのゲートに接続して設けた第1および第2の半導体スイッチ素子と、直列に接続されて電源端子と接地端子との間に介装されると共に、その直列接続点をIGBTのエミッタに接続して設けた第3および第4の半導体スイッチ素子とを備える。更に制御信号に応じて第1~第4の半導体スイッチ素子のそれぞれを互いに関連させてオン・オフさせてIGBTのオン・オフを制御する制御回路を備える。特に第1の半導体スイッチ素子として第2~第4の半導体スイッチ素子よりもオン抵抗の大きい素子を用いる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)