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1. (WO2018047485) パワーモジュールおよびインバータ装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/047485    国際出願番号:    PCT/JP2017/026653
国際公開日: 15.03.2018 国際出願日: 24.07.2017
IPC:
H01L 25/07 (2006.01), H01L 23/29 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H02M 7/48 (2007.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP)
発明者: IWAHASHI Seita; (JP)
代理人: MIYOSHI Hidekazu; (JP).
TERAYAMA Keishin; (JP)
優先権情報:
2016-173873 06.09.2016 JP
発明の名称: (EN) POWER MODULE AND INVERTER DEVICE
(FR) MODULE DE PUISSANCE ET DISPOSITIF ONDULEUR
(JA) パワーモジュールおよびインバータ装置
要約: front page image
(EN)A power module (10) is provided with: a lower ceramic substrate (21D); a semiconductor device Q1 which is mounted on the lower ceramic substrate (21D) and generates heats during operation; an upper ceramic substrate (21U) disposed on the semiconductor device Q1 so as to face the lower ceramic substrate (21D); a bridge section (35C) which transmits an electrical signal and is connected to an electrode pattern (24D2), one end of which is disposed on the semiconductor device Q1 and the other end of which is formed on the lower ceramic substrate (21D); and a post section (35T), one end of which is disposed on the semiconductor device Q1 and the other end of which is connected to the upper ceramic substrate (21U), the post section (35T) conducting heat from the semiconductor device Q1 to a second insulation substrate (22U). A power module and inverter device capable of efficiently dissipating heat are provided.
(FR)L'invention concerne un module de puissance (10) qui est pourvu : d'un substrat céramique inférieur (21D) ; d'un dispositif semi-conducteur Q1 qui est monté sur le substrat céramique inférieur (21D) et qui génère de la chaleur pendant le fonctionnement ; d'un substrat céramique supérieur (21U) disposé sur le dispositif semi-conducteur Q1 de manière à faire face au substrat céramique inférieur (21D) ; d'une section de pont (35C) qui transmet un signal électrique et est connectée à un motif d'électrode (24D2), dont une extrémité est disposée sur le dispositif semi-conducteur Q1 et l'autre extrémité est formée sur le substrat céramique inférieur (21D) ; et d'une section de montant (35T), dont une extrémité est disposée sur le dispositif semi-conducteur Q1 et dont l'autre extrémité est reliée au substrat céramique supérieur (21U), la section de montant (35T) conduisant la chaleur du dispositif à semi-conducteur Q1 à un second substrat d'isolation (22U). L'invention concerne un module de puissance et un dispositif onduleur capables de dissiper efficacement la chaleur.
(JA)パワーモジュール(10)は、下部セラミック基板(21D)と、下部セラミック基板(21D)上に搭載されて動作時に発熱する半導体デバイスQ1と、半導体デバイスQ1上に、下部セラミック基板(21D)に対向して配置された上部セラミック基板(21U)と、半導体デバイスQ1上に一端が配置され、他端側が下部セラミック基板(21D)に形成された電極パターン(24D2)に接続されて電気信号を伝送するブリッジ部(35C)と、半導体デバイスQ1上に一端が配置され、他端側が上部セラミック基板(21U)に接続されて半導体デバイスQ1の熱を第2絶縁基板(22U)側に伝導するポスト部(35T)とを備える。効率的に放熱可能なパワーモジュールおよびインバータ装置を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)