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1. (WO2018047284) 電線およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/047284    国際出願番号:    PCT/JP2016/076535
国際公開日: 15.03.2018 国際出願日: 09.09.2016
IPC:
H01B 7/00 (2006.01), H01B 9/00 (2006.01), H01B 11/00 (2006.01)
出願人: KYORAKU INDUSTRIAL HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 210 Nakasuna-cho, Tenpaku-ku, Nagoya-shi, Aichi 4680065 (JP).
KINJOH Toru [JP/JP]; (JP)
発明者: KINJOH Toru; (JP)
代理人: KUMEGAWA Masamitsu; (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) ELECTRIC WIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) FIL ÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 電線およびその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is an electric wire which has good electrical properties, and is based on novel characteristics of crystalline nano-diamond semiconductor particles. This electric wire has a conducting wire and an electron acceleration layer. The electron acceleration layer is disposed in contact with or in proximity to the conducting wire, includes crystalline nano-diamond semiconductor particles having spontaneous charges, and accelerates free electrons flowing through the conducting wire. The crystalline nano-diamond semiconductor particles preferably have a particle size of 3-8 nm, and more preferably have an activation energy level of 0.3-0.7 eV.
(FR)L'invention concerne un fil électrique qui présente de bonnes propriétés électriques, et qui est basé sur de nouvelles caractéristiques de particules semi-conductrices de nano-diamant cristallin. Ce fil électrique a un fil conducteur et une couche d'accélération d'électrons. La couche d'accélération d'électrons est disposée en contact avec ou à proximité du fil conducteur, comprend des particules semi-conductrices de nano-diamant cristallin ayant des charges spontanées, et accélère les électrons s’écoulant à travers le fil conducteur. Les particules semi-conductrices de nano-diamant cristallin ont de préférence une taille de particule de 3 à 8 nm, et ont de préférence un niveau d'énergie d'activation de 0,3 à 0,7 eV.
(JA)結晶系ナノダイヤモンド半導体粒子の新規な特性に着目し、優れた電気的特性を有する電線を提供する。 電線は、導線と、電子加速層とを有する。電子加速層は、導線に当接または近接して配置され、自発電荷を有する結晶系ナノダイヤモンド半導体粒子を含み、導線中を流れる自由電子を加速させる。結晶系ナノダイヤモンド半導体粒子は、3nm以上8nm以下の粒子径を有することが好ましく、より好ましくは、その活性化エネルギーレベルが0.3eV以上0.7eV以下である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)