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1. (WO2018047257) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2018/047257 国際出願番号: PCT/JP2016/076331
国際公開日: 15.03.2018 国際出願日: 07.09.2016
IPC:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H01R 11/01 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
48
動作中の固体本体からまたは固体本体へ電流を導く装置,例.リードまたは端子装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
R
導電接続;互いに絶縁された多数の電気接続要素の構造的な集合体;嵌合装置;集電装置
11
互いに接続される導電部材用の,間隔をあけた2つ以上の接続箇所を有する個々の接続部材(例,電線またはケーブルによって支持され,かつ,他の電線,端子,導電部材への電気接続を容易にするための手段を備えた,電線またはケーブルのための端子片,締付け端子柱ブロック)
01
接続位置間の導電相互接続の形状または配列に特徴があるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
藤田 重人 FUJITA, Shigeto; JP
稲口 隆 INAGUCHI, Takashi; JP
代理人:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約:
(EN) This semiconductor device is provided with an upper electrode which is provided above a lower electrode, a semiconductor chip which is provided between the lower electrode and the upper electrode, a pressure pad which is provided between the lower electrode and the upper electrode overlapping the semiconductor chip, and a spiral conductor which is provided between the lower electrode and the upper electrode overlapping the semiconductor chip and the pressure pad. The spiral conductor comprises an upper spiral conductor and a lower spiral conductor which contacts the bottom end of the upper spiral conductor and faces the upper spiral conductor. By forming a groove in the upper spiral conductor and the lower spiral conductor, the direction of current flowing through the upper spiral conductor and the direction of current flowing through the lower spiral conductor can be made to coincide in planar view.
(FR) Le dispositif à semi-conducteurs selon l’invention comporte: une électrode supérieure située au-dessus d'une électrode inférieure; une puce semiconductrice située entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure; des tampons de pression situés sur la puce semiconductrice, entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure; et un corps conducteur en spirale situé, avec la puce semiconductrice et les tampons de pression, entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure. Le corps conducteur en spirale possède une partie corps conducteur en spirale côté supérieur, et une partie corps conducteur en spirale côté inférieur faisant face à la partie corps conducteur en spirale côté supérieur et connectée à cette partie corps conducteur en spirale côté supérieur au niveau de la partie inférieure de celle-ci. Grâce à la formation d'une rainure dans la partie corps conducteur en spirale côté supérieur et dans la partie corps conducteur en spirale côté inférieure, dans une vue en plan, la direction du courant à l’intérieur de la partie corps conducteur en spirale côté supérieur coïncide avec la direction du courant à l’intérieur de la partie corps conducteur en spirale côté inférieur.
(JA) 下電極の上方に設けられた上電極と、該下電極と該上電極の間に設けられた半導体チップと、該下電極と該上電極の間に該半導体チップと重ねて設けられたプレッシャパッドと、該下電極と該上電極の間に該半導体チップおよび該プレッシャパッドと重ねて設けられたスパイラル導体と、を備え、該スパイラル導体は、上側スパイラル導体と、該上側スパイラル導体の下端に接し該上側スパイラル導体に対向する下側スパイラル導体とを有し、該上側スパイラル導体と該下側スパイラル導体に溝を形成することで、平面視で、該上側スパイラル導体を流れる電流の向きと、該下側スパイラル導体を流れる電流の向きを一致させた。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)