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1. (WO2018043725) 有機半導体材料及び有機化合物並びに有機半導体装置
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国際公開番号: WO/2018/043725 国際出願番号: PCT/JP2017/031671
国際公開日: 08.03.2018 国際出願日: 01.09.2017
IPC:
H01L 51/30 (2006.01) ,C07D 471/04 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/40 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30
材料の選択
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
471
縮合系中に異項原子として窒素原子のみを含有し,少なくとも1個の環が1個の窒素原子をもつ6員環であり,451/00から463/00に属さない複素環式化合物
02
縮合系が2個の複素環を含有するもの
04
オルソー縮合系
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
40
このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
国立大学法人東京工業大学 TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都目黒区大岡山2丁目12番1号 2-12-1, Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 1528550, JP
発明者:
半那 純一 HANNA, Junichi; JP
ヤン タンジョウ YANG, Tengzhou; JP
飯野 裕明 IINO, Hiroaki; JP
代理人:
青木 篤 AOKI, Atsushi; JP
三橋 真二 MITSUHASHI, Shinji; JP
出野 知 DENO, Satoru; JP
高橋 正俊 TAKAHASHI, Masatoshi; JP
古賀 哲次 KOGA, Tetsuji; JP
優先権情報:
2016-17232202.09.2016JP
発明の名称: (EN) ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, ORGANIC COMPOUND AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, COMPOSÉ ORGANIQUE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 有機半導体材料及び有機化合物並びに有機半導体装置
要約:
(EN) This organic semiconductor material contains at least the following: a unit A including a skeleton structure based on isoquinolino-isoquinoline (IQIQ) represented by formula (1); a fatty acid-based chain unit B connected by a single bond with unit A; and a unit C which is a hydrogen atom, or a group containing a fatty acid chain and/or a cyclic structure, unit c being connected by a single bond with unit A. The organic semiconductor material exhibits liquid crystal properties, has a deep LUMO level, and can be preferably used as an n-type organic transistor material. This invention also provides a novel compound.
(FR) Ce matériau semi-conducteur organique contient au moins les éléments suivants : une unité A comprenant une structure de squelette à base d'isoquinolino-isoquinoline (IQIQ) représentée par la formule (1); une unité de chaîne à base d'acide gras B reliée par une liaison simple avec l'unité A; et une unité C qui est un atome d'hydrogène, ou un groupe contenant une chaîne d'acides gras et/ou une structure cyclique, l'unité C étant connectée par une liaison simple avec l'unité A le matériau semi-conducteur organique présente des propriétés de cristaux liquides, a un niveau LUMO profond, et peut être utilisé de préférence en tant que matériau de transistor organique de type n. L'invention concerne également un nouveau composé.
(JA) 本発明の有機半導体材料は、式(1)で表されるイソキノリノ・イソキノリン(IQIQ)に基づく骨格構造を含むユニットAと、該ユニットAと単結合で連結された脂肪族系鎖ユニットBと、該ユニットAと単結合で連結された、脂肪族系鎖および/又は環状構造を含む基、または水素原子であるユニットCとを少なくとも有する有機半導体材料であって;前記有機半導体材料が液晶性を示す。深いLUMO準位を有し、好適にはn型有機トラジスタ材料として使用できる、液晶性を示す有機半導体材料が提供される。本発明はまた新規化合物を提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)