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1. (WO2018043695) 溶液、溶液収容体、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、半導体デバイスの製造方法
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国際公開番号: WO/2018/043695 国際出願番号: PCT/JP2017/031543
国際公開日: 08.03.2018 国際出願日: 01.09.2017
IPC:
G03F 7/16 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/32 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
16
塗布法;そのための装置
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
30
液体手段を用いる画像様除去
32
そのための液体組成物,例.現像剤
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
上村 哲也 KAMIMURA Tetsuya; JP
代理人:
渡辺 望稔 WATANABE Mochitoshi; JP
三和 晴子 MIWA Haruko; JP
伊東 秀明 ITOH Hideaki; JP
三橋 史生 MITSUHASHI Fumio; JP
優先権情報:
2016-17223902.09.2016JP
2017-16646131.08.2017JP
発明の名称: (EN) SOLUTION, SOLUTION ACCOMMODATING BODY, ACTIVE LIGHT-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, PATTERN FORMATION METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) SOLUTION, RÉCEPTACLE POUR SOLUTION, COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À LA LUMIÈRE ACTIVE OU SENSIBLE AU RAYONNEMENT, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 溶液、溶液収容体、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、半導体デバイスの製造方法
要約:
(EN) The present invention addresses the problem of providing a solution which includes, as a main component (at least 98 mass%), an organic solvent, and which exhibits an excellent ability to inhibit defects. The present invention also addresses the problem of providing: a solution accommodating body in which the solution is accommodated; an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition including the solution; and a pattern formation method and a method for producing semiconductor devices which use the solution. This solution is provided with at least one organic solvent having a boiling point of less than 200˚C, and an organic impurity having a boiling point of at least 250˚C. The organic solvent content is at least 98 mass% of the total mass of the solution. The organic impurity content is at least 0.1 ppm by mass but less than 100 ppm by mass with respect to the total mass of the solution.
(FR) L’invention a pour objet de fournir une solution qui comprend un solvant organique en tant que composant principal (98% en masse ou plus), et qui se révèle excellente en termes de capacité d’inhibition des défauts. L’invention a également pour objet de fournir un réceptacle pour solution recevant ladite solution, une composition de résine sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement comprenant ladite solution, et un procédé de formation de motif ainsi qu’un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs qui mettent en œuvre ladite solution. La solution de l’invention possède au moins une sorte de solvant organique de point d’ébullition inférieur à 200°C, et des impuretés organiques de point d’ébullition supérieur ou égal à 250°C. La teneur en solvant organique est supérieure ou égale à 98% en masse, et la teneur en impuretés organiques est supérieure ou égale à 0,1ppm en masse et inférieure à 100ppm en masse, pour l’ensemble de la masse de la solution.
(JA) 【課題】 本発明の課題は、有機溶媒を主成分(98質量%以上)として含有し、欠陥抑制能に優れた溶液を提供することである。 本発明の他の課題は、上記溶液を収容した溶液収容体、上記溶液を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、上記溶液を用いたパターン形成方法及び半導体デバイスの製造方法を提供することである。 本発明の溶液は、沸点が200℃未満の有機溶媒を少なくとも1種と、沸点が250℃以上の有機不純物と、を有する溶液であり、 上記有機溶媒の含有量が、溶液全質量に対して98質量%以上であり、 上記有機不純物の含有量が、溶液全質量に対して0.1質量ppm以上100質量ppm未満である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)