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1. (WO2018043535) パワーモジュール、駆動回路付パワーモジュール、および産業機器、電気自動車またはハイブリッドカー
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国際公開番号: WO/2018/043535 国際出願番号: PCT/JP2017/031085
国際公開日: 08.03.2018 国際出願日: 30.08.2017
IPC:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 23/473 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
46
流動流体による熱の移動によるもの
473
液体を流すことによるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7
交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42
直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44
静止型変換器によるもの
48
制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
出願人:
ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP
発明者:
岩橋 清太 IWAHASHI Seita; JP
濟藤 匡男 SAITO Masao; JP
代理人:
三好 秀和 MIYOSHI Hidekazu; JP
寺山 啓進 TERAYAMA Keishin; JP
優先権情報:
2016-17166302.09.2016JP
2016-17182302.09.2016JP
発明の名称: (EN) POWER MODULE, POWER MODULE WITH DRIVE CIRCUIT, INDUSTRIAL EQUIPMENT, ELECTRIC AUTOMOBILE AND HYBRID CAR
(FR) MODULE DE PUISSANCE, MODULE DE PUISSANCE AVEC CIRCUIT DE COMMANDE, ÉQUIPEMENT INDUSTRIEL, AUTOMOBILE ÉLECTRIQUE ET VOITURE HYBRIDE
(JA) パワーモジュール、駆動回路付パワーモジュール、および産業機器、電気自動車またはハイブリッドカー
要約:
(EN) This power module (PM) (10A) is provided with: a first insulating substrate (21D) that is provided with a first conductive layer (24D) on the surface; a first semiconductor device Q1 that is arranged on the first conductive layer (24D) and has a first electrode connected to the first conductive layer (24D); a first signal electrode (1) that is formed on the surface of the first insulating substrate (21D) and is connected to a second electrode of the first semiconductor device Q1; a second signal electrode (2) that is formed on the surface side of the first insulating substrate (21D) and is connected to a third electrode of the first semiconductor device Q1; and an insulating layer (3) that is arranged on the first insulating substrate (21D). The first signal electrode (1) and the second signal electrode (2) are arranged such that the insulating layer (3) is interposed therebetween. A PM (101) with a drive circuit is provided with: a PM (10S) wherein a power semiconductor device is sealed; an upper cooling device (12U) that is arranged on a first sealing surface (10a) of the PM (10S); and a gate driver (180) that drives the PM (10S) and is mounted on a surface (10u) of the upper cooling device (12U), said surface (10u) being on the reverse side of the surface that is in contact with the PM (10S).
(FR) Ce module de puissance (PM) (10A) est pourvu : d'un premier substrat isolant (21D) qui est pourvu d'une première couche conductrice (24D) sur la surface; un premier dispositif semi-conducteur Q1 qui est disposé sur la première couche conductrice (24D) et a une première électrode connectée à la première couche conductrice (24D); une première électrode de signal (1) qui est formée sur la surface du premier substrat isolant (21D) et est connecté à une seconde électrode du premier dispositif semi-conducteur Q1; une seconde électrode de signal (2) qui est formée sur la surface latérale du premier substrat isolant (21D) et est connecté à une troisième électrode du premier dispositif semi-conducteur Q1; et une couche isolante (3) qui est disposée sur le premier substrat isolant (21D). La première électrode de signal (1) et la seconde électrode de signal (2) sont agencées de telle sorte que la couche isolante (3) est interposée entre celles-ci. Un PM (101) avec un circuit de commande est pourvu : d'un PM (10S) dans lequel un dispositif à semi-conducteur de puissance est scellé; d'un dispositif de refroidissement supérieur (12U) qui est disposé sur une première surface d'étanchéité (10a) du PM (10S); et un circuit de commande de grille (180) qui entraîne la PM (10S) et est monté sur une surface (10u) du dispositif de refroidissement supérieur (12U), ladite surface (10u) étant sur le côté inverse de la surface qui est en contact avec le PM (10S).
(JA) パワーモジュール(PM)(10A)は、第1導電層(24D)を表面に備える第1絶縁基板(21D)と、第1導電層(24D)の上に配置され、第1電極が第1導電層(24D)と接続される第1半導体デバイスQ1と、第1絶縁基板(21D)の表面に形成され、第1半導体デバイスQ1の第2電極と接続される第1信号電極(1)と、第1絶縁基板(21D)の表面側に形成され、第1半導体デバイスQ1の第3電極と接続される第2信号電極(2)と、第1絶縁基板(21D)の上に配置される絶縁層(3)とを備え、第1信号電極(1)と第2信号電極(2)は、絶縁層(3)を挟んで配置される。駆動回路付PM(101)は、パワー用の半導体デバイスを封止したPM(10S)と、PM(10S)の第1の封止面(10a)に配置された上部冷却器(12U)と、上部冷却器(12U)の、PM(10S)との接触面の反対側の面(10u)に搭載され、PM(10S)を駆動するゲートドライバ(180)とを備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)