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1. (WO2018043523) ボロン拡散層およびリン拡散層の形成方法
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国際公開番号: WO/2018/043523 国際出願番号: PCT/JP2017/031053
国際公開日: 08.03.2018 国際出願日: 30.08.2017
IPC:
H01L 21/225 (2006.01) ,H01L 21/223 (2006.01) ,H01L 31/068 (2012.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
22
半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料,例.ドーピング材料,電極材料,の拡散;不純物材料の再分布,例.さらなるドーパントの導入または除去をしないもの
225
固相,例.ドープされた酸化物層,から固体へのまたは固体から固相への拡散を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
22
半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料,例.ドーピング材料,電極材料,の拡散;不純物材料の再分布,例.さらなるドーパントの導入または除去をしないもの
223
気相から固体へのまたは固体から気相への拡散を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
068
電位障壁がPNホモ接合型のみからなるもの,例.バルクシリコンPNホモ接合太陽電池または薄膜多結晶シリコンPNホモ接合太陽電池
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
18
これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
パナソニックプロダクションエンジニアリング株式会社 PANASONIC PRODUCTION ENGINEERING CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府門真市松葉町2番7号 2-7, Matsuba-cho, Kadoma-shi, Osaka 5718502, JP
発明者:
加藤 太司 KATO, Futoshi; --
青野 亮太 AONO, Ryota; --
合田 晋二 GODA, Shinji; --
代理人:
鷲田 公一 WASHIDA, Kimihito; JP
優先権情報:
2016-16883831.08.2016JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING BORON DIFFUSION LAYER AND PHOSPHORUS DIFFUSION LAYER
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE COUCHE DE DIFFUSION DE BORE ET D'UNE COUCHE DE DIFFUSION DE PHOSPHORE
(JA) ボロン拡散層およびリン拡散層の形成方法
要約:
(EN) The present invention addresses the problem of suppressing the production cost of a bifacial solar cell, thereby improving the productivity. A method for forming a boron diffusion layer 3 and a phosphorus diffusion layer 7 according to the present invention carries out in a single batch: a first step wherein after applying a material 2 containing a boron compound to a plurality of substrates W and carrying in a pair of substrates WG into a diffusion furnace in such a state where substrate surfaces coated with the material 2 containing a boron compound are in contact with each other, the material 2 containing a boron compound and the atmospheric gas are caused to react with each other, thereby performing oxidation of boron and ashing of organic matters contained in the material containing a boron compound; a second step wherein a boron diffusion layer 3 is formed on one surface of the substrate; a third step wherein a boron silicate glass layer 4 is formed on the boron diffusion layer; a fourth step wherein a phosphorus diffusion layer 7 is formed on the other surface of the substrate; and a fifth step wherein the surface of the phosphorus diffusion layer 7 is oxidized.
(FR) La présente invention aborde le problème de suppression du coût de production d'une cellule solaire bifaciale, ce qui permet d'améliorer la productivité. Un procédé de formation d'une couche de diffusion de bore 3 et d'une couche de diffusion de phosphore 7 selon la présente invention réalise en un seul lot : une première étape au cours de laquelle après l'application d'un matériau 2 contenant un composé de bore à une pluralité de substrats W et le transport d'une paire de substrats WG dans un four à diffusion dans un état dans lequel des surfaces de substrat revêtues du matériau 2 contenant un composé de bore sont en contact les unes avec les autres, le matériau 2 contenant un composé de bore et le gaz atmosphérique sont amenés à réagir l'un avec l'autre, ce qui permet d'effectuer l'oxydation du bore et la calcination de matières organiques contenues dans le matériau contenant un composé de bore ; une deuxième étape au cours de laquelle une couche de diffusion de bore 3 est formée sur une surface du substrat ; une troisième étape au cours de laquelle une couche de verre de silicate de bore 4 est formée sur la couche de diffusion de bore ; une quatrième étape au cours de laquelle une couche de diffusion de phosphore 7 est formée sur l'autre surface du substrat ; et une cinquième étape au cours de laquelle la surface de la couche de diffusion de phosphore 7 est oxydée.
(JA) 両面受光型太陽電池セルの製造コストを抑制し、生産性を向上させることを課題とする。 ボロン拡散層3およびリン拡散層7の形成方法において、ボロン化合物を含む材料2を複数の基板Wに塗布し、ボロン化合物を含む材料2を塗布した面同士を当接させた状態の一対の基板WGを拡散炉に搬入した後、ボロン化合物を含む材料2と雰囲気ガスとを反応させ、該ボロン化合物を含む材料に含まれる有機物の灰化およびボロンの酸化を行う第1のステップと、ボロン拡散層3を前記基板の一方の面側に形成する第2のステップと、前記ボロン拡散層の上にボロンシリケートガラス層4を形成する第3のステップと、リン拡散層7を前記基板の他方の面側に形成する第4のステップと、リン拡散層7の表面を酸化する第5のステップとを同一バッチにて実施する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)