国際・国内特許データベース検索

1. (WO2018043503) p型酸化物半導体及びその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/043503    International Application No.:    PCT/JP2017/031007
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Aug 30 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/365
C23C 16/40
C23C 16/448
H01L 21/329
H01L 21/331
H01L 21/336
H01L 21/337
H01L 21/338
H01L 21/368
H01L 29/12
H01L 29/24
H01L 29/737
H01L 29/739
H01L 29/778
H01L 29/78
H01L 29/808
H01L 29/812
H01L 29/872
H01L 33/26
Applicants: FLOSFIA INC.
株式会社FLOSFIA
KYOTO UNIVERSITY
国立大学法人京都大学
Inventors: FUJITA Shizuo
藤田 静雄
KANEKO Kentaro
金子 健太郎
ODA Masaya
織田 真也
HITORA Toshimi
人羅 俊実
Title: p型酸化物半導体及びその製造方法
Abstract:
広いバンドギャップと良好な導電性とを有する新規且つ有用なp型酸化物半導体とその製造方法を提供する。イリジウム及び所望により他の金属を含む原料溶液を霧化してミストを生成し、キャリアガスを用いて、基体の表面近傍まで前記ミストを搬送した後、前記ミストを前記基体表面近傍にて熱反応させることにより、前記基体上にイリジウムを含有する金属酸化物の結晶又は混晶を形成して、p型酸化物半導体を製造する。