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1. (WO2018043446) 半導体製造用チャンバのクリーニング方法

Pub. No.:    WO/2018/043446    International Application No.:    PCT/JP2017/030835
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Aug 30 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/31
C23C 16/44
H01L 21/3065
Applicants: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION YOKOHAMA NATIONAL UNIVERSITY
国立大学法人 横浜国立大学
KANTO DENKA KOGYO CO., LTD.
関東電化工業株式会社
Inventors: HABUKA, Hitoshi
羽深 等
TAKAHASHI, Yoshinao
高橋 至直
FUKAE, Katsuya
深江 功也
Title: 半導体製造用チャンバのクリーニング方法
Abstract:
本発明は半導体製造用チャンバを三フッ化塩素でクリーニングした後に残留するフッ素原子を効果的に除去する方法を提供する。半導体を製造した後の半導体製造用チャンバ内を三フッ化塩素に曝露して、前記チャンバ内に残存する除去対象物を除去した後、前記チャンバ内を窒素、アルゴン、ヘリウム及び水素からなる群より選択される少なくとも1種のガスで熱処理する。前記チャンバ内を測温しながら前記チャンバ内を三フッ化塩素に曝露し、前記チャンバ内の温度が設定温度まで降下したら、前記チャンバ内への三フッ化塩素の供給を停止することが好適である。