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1. (WO2018043440) 処理液、基板の洗浄方法、半導体デバイスの製造方法
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国際公開番号: WO/2018/043440 国際出願番号: PCT/JP2017/030820
国際公開日: 08.03.2018 国際出願日: 29.08.2017
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,C11D 7/26 (2006.01) ,C11D 7/32 (2006.01) ,C11D 7/34 (2006.01) ,C11D 7/36 (2006.01) ,C11D 7/50 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
C 化学;冶金
11
動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D
洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
7
本質的に非表面活性化合物を基とする洗浄剤組成物
22
有機化合物
26
酸素を含むもの
C 化学;冶金
11
動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D
洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
7
本質的に非表面活性化合物を基とする洗浄剤組成物
22
有機化合物
32
窒素を含むもの
C 化学;冶金
11
動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D
洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
7
本質的に非表面活性化合物を基とする洗浄剤組成物
22
有機化合物
34
いおうを含むもの
C 化学;冶金
11
動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D
洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
7
本質的に非表面活性化合物を基とする洗浄剤組成物
22
有機化合物
36
りんを含むもの
C 化学;冶金
11
動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D
洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
7
本質的に非表面活性化合物を基とする洗浄剤組成物
50
溶剤
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
上村 哲也 KAMIMURA Tetsuya; JP
高橋 智威 TAKAHASHI Tomonori; JP
代理人:
渡辺 望稔 WATANABE Mochitoshi; JP
三和 晴子 MIWA Haruko; JP
伊東 秀明 ITOH Hideaki; JP
三橋 史生 MITSUHASHI Fumio; JP
優先権情報:
2016-16977331.08.2016JP
発明の名称: (EN) PROCESSING LIQUID, SUBSTRATE CLEANING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) LIQUIDE DE TRAITEMENT, PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 処理液、基板の洗浄方法、半導体デバイスの製造方法
要約:
(EN) [Problem] To provide: a processing liquid for semiconductor devices which exhibits excellent stability over time with respect to residue removal performance, and which exhibits excellent corrosion prevention performance with respect to objects to be processed; a substrate cleaning method which uses said processing liquid; and a method for producing semiconductor devices. [Solution] This processing liquid for semiconductor devices includes: at least one hydroxylamine compound selected from the group consisting of hydroxylamines and hydroxylamine salts; at least one basic compound selected from the group consisting of amine compounds different to the hydroxylamine compound, and quaternary ammonium hydroxide salts; and at least one selected from the group consisting of reductants different to the hydroxylamine compound, and chelating agents. The processing liquid has a pH of 10 or higher.
(FR) L’invention a pour objet de fournir un liquide de traitement qui est destiné à un dispositif à semi-conducteurs, et qui se révèle excellent en termes de stabilité au cours du temps de ses performances d’élimination de résidu et en termes de performances de protection contre la corrosion vis-à-vis d’un objet à traiter. En outre, l’invention a pour objet de fournir un procédé de nettoyage de substrat mettant en œuvre ledit liquide de traitement, et un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs. Le liquide de traitement de l’invention consiste en un liquide de traitement qui est destiné à un dispositif à semi-conducteurs, et comprend : au moins une sorte de composé hydroxylamine choisie dans un groupe constitué d’une hydroxylamine et d’un sel d’hydroxylamine ; au moins une sorte de composé basique choisie dans un groupe constitué d’un composé amine distinct dudit composé hydroxylamine et d’un sel d’hydroxyde d’ammonium quaternaire ; et au moins un élément choisi dans un groupe constitué d’un agent de réduction distinct dudit composé hydroxylamine et d’un agent chélatant. Le pH de ce liquide de traitement est supérieur ou égal à 10.
(JA) 【課題】本発明の課題は、半導体デバイス用の処理液であって、残渣物除去性能の経時安定性に優れ、且つ、処理対象物に対する腐食防止性能にも優れた処理液を提供することである。また、上記処理液を用いた基板の洗浄方法、及び、半導体デバイスの製造方法を提供することである。 本発明の処理液は、半導体デバイス用の処理液であって、ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン塩からなる群より選ばれる少なくとも1種のヒドロキシルアミン化合物と、上記ヒドロキシルアミン化合物とは異なるアミン化合物、及び四級水酸化アンモニウム塩からなる群より選ばれる少なくとも1種の塩基化合物と、上記ヒドロキシルアミン化合物とは異なる還元剤、及びキレート剤からなる群より選ばれる少なくとも1種と、を含有し、pHが10以上である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)