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1. (WO2018043425) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/043425    International Application No.:    PCT/JP2017/030781
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue Aug 29 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 27/10
G11C 17/06
H01L 29/786
H01L 45/00
H01L 49/00
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA
シャープ株式会社
Inventors: YAMAMOTO Kaoru
山本 薫
Title: 半導体装置
Abstract:
半導体装置は、複数のメモリセル(MC1、MC2)を有する半導体装置であって、複数のメモリセル(MC1、MC2)のそれぞれは、活性層として酸化物半導体層(17M)を有するメモリトランジスタ(10M)と、活性層として結晶質シリコン層(13S)を有し、メモリトランジスタ(10M)に直列に接続された第1選択トランジスタ(10S)とを有する。