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1. (WO2018043305) 基材表面の選択的修飾方法及び組成物
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国際公開番号:    WO/2018/043305    国際出願番号:    PCT/JP2017/030428
国際公開日: 08.03.2018 国際出願日: 24.08.2017
IPC:
H01L 21/312 (2006.01), B05D 3/02 (2006.01), B05D 7/00 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
出願人: JSR CORPORATION [JP/JP]; 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640 (JP)
発明者: KOMATSU Hiroyuki; (JP).
ODA Tomohiro; (JP).
OSAKI Hitoshi; (JP).
HORI Masafumi; (JP).
NARUOKA Takehiko; (JP)
代理人: AMANO Kazunori; (JP)
優先権情報:
2016-171341 01.09.2016 JP
発明の名称: (EN) BASE MATERIAL SURFACE SELECTIVE MODIFICATION METHOD AND COMPOSITION
(FR) PROCÉDÉ ET COMPOSITION DE MODIFICATION SÉLECTIVE DE SURFACE DE MATÉRIAU DE BASE
(JA) 基材表面の選択的修飾方法及び組成物
要約: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a selective modification method for base material surfaces and a composition, whereby a surface region including silicon can be modified simply and highly selectively and densely. This selective modification method for base material surfaces comprises: a step in which a base material is prepared that has a first region including silicon, on a surface layer thereof; a step in which a composition is coated on the surface of the base material, said composition including a solvent and a first polymer that has, at the terminal of the main chain or a side chain thereof, a group including a first functional group that bonds with the silicon; and a step in which a coating film formed by the coating step is heated. The first region ideally includes a silicon oxide, a silicon nitride, or a silicon oxide nitride. Ideally, the base material also has a second region different from the first region and including metal, and the selective modification method also comprises a step, after the heating step, in which a section formed on the second region in the coating film is removed by using a rinse fluid.
(FR)L'objectif de la présente invention est de fournir un procédé de modification sélective pour des surfaces de matériau de base et une composition, par laquelle une région de surface comprenant du silicium peut être modifiée de manière simple et hautement sélective et dense. Ce procédé de modification sélective pour des surfaces de matériau de base comprend : une étape dans laquelle un matériau de base est préparé et ayant une première région comprenant du silicium, sur une couche de surface de celui-ci; une étape dans laquelle une composition est appliquée sur la surface du matériau de base, ladite composition comprenant un solvant et un premier polymère qui a, au niveau du terminal de la chaîne principale ou d'une chaîne latérale de celle-ci, un groupe comprenant un premier groupe fonctionnel qui se lie au silicium; et une étape dans laquelle un film de revêtement formé par l'étape de revêtement est chauffé. Idéalement, la première région comprend un oxyde de silicium, un nitrure de silicium ou un nitrure d'oxyde de silicium. Idéalement, le matériau de base a également une seconde région différente de la première région et comprenant du métal, et le procédé de modification sélective comprend également une étape, après l'étape de chauffage, dans laquelle une section formée sur la seconde région dans le film de revêtement est retirée à l'aide d'un fluide de rinçage.
(JA)本発明は、ケイ素を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができる基材表面の選択的修飾方法及び組成物の提供を目的とする。本発明は、ケイ素を含む第1領域を表層に有する基材を準備する工程と、上記基材の表面に、上記ケイ素と結合する第1官能基を含む基を主鎖又は側鎖の末端に有する第1重合体及び溶媒を含有する組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成される塗膜を加熱する工程とを備える基材表面の選択的修飾方法である。上記第1領域は、ケイ素酸化物、ケイ素窒化物又はケイ素酸化物窒化物を含むことが好ましい。上記基材は、第1領域以外の領域であって、金属を含む第2領域をさらに有し、上記加熱工程の後に、上記塗膜のうち上記第2領域上に形成された部分をリンス液により除去する工程をさらに備えることが好ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)