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1. (WO2018043300) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/043300 国際出願番号: PCT/JP2017/030407
国際公開日: 08.03.2018 国際出願日: 24.08.2017
IPC:
H01L 21/336 (2006.01) ,G01B 11/06 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
G 物理学
01
測定;試験
B
長さ,厚さまたは同種の直線寸法の測定;角度の測定;面積の測定;表面または輪郭の不規則性の測定
11
光学的手段の使用によって特徴づけられた測定装置
02
長さ,幅または厚み測定用
06
厚み測定用
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66
製造または処理中の試験または測定
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
12
構成材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人:
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
トヨタ自動車株式会社 TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 愛知県豊田市トヨタ町1番地 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571, JP
発明者:
天野 陽 AMANO Akira; JP
里村 隆幸 SATOMURA Takayuki; JP
竹内 有一 TAKEUCHI Yuichi; JP
鈴木 克己 SUZUKI Katsumi; JP
青井 佐智子 AOI Sachiko; JP
代理人:
特許業務法人ゆうあい特許事務所 YOU-I PATENT FIRM; 愛知県名古屋市中区錦一丁目6番5号 名古屋錦シティビル4階 Nagoya Nishiki City Bldg. 4F 1-6-5, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003, JP
優先権情報:
2016-16981531.08.2016JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
要約:
(EN) According to the present invention, when the film thickness of a p-type base region (3) is measured, an infrared light is irradiated from a p-type base region (3) side to an n+-type substrate (1) on which the p-type base region (3) and n--type drift layer (2) are grown. Reflection light from an interface between the p-type base region (3) and the n--type drift layer (2) is not used, but inference light made by reflection light from the surface of the p-type base region (3) and reflection light from an interface between the n--type drift layer (2) and the n+-type substrate (1) is measured. This makes it possible to measure a bi-layered film thickness T2, which is a summed thickness of the p-type base region (3) and the n--type drift layer (2). Accordingly, the film thickness of the p-type base region (3) can be calculated by subtracting a mono-layered film thickness T1 of the n-type drift layer (2) from the bi-layered film thickness T2.
(FR) Selon la présente invention, lorsque l'épaisseur de film d'une région de base de type p (3) est mesurée, une lumière infrarouge est irradiée à partir d'un coté de région de base de type p (3) à un substrat de type n + (1) sur lequel la région de base de type p (3) et la couche de dérive de type n - (2) sont cultivés. Une lumière de réflexion provenant d'une interface entre la région de base de type p (3) et la couche de dérive de type n - (2) n'est pas utilisée, mais une lumière d'inférence réalisée par réflexion de la lumière à partir de la surface de la région de base de type p (3) et la lumière de réflexion provenant d'une interface entre la couche de dérive de type n - et le substrat de type n + est mesuré. Ceci permet de mesurer une épaisseur de film bicouche T2, qui est une épaisseur cumulée de la région de base de type p (3) et la couche de dérive de type n - . En conséquence, l'épaisseur de film de la région de base de type p (3) peut être calculée par soustraction d'une épaisseur de film monocouche T1 de la couche de dérive de type n (2) à partir de l'épaisseur de film bicouche T2.
(JA) p型ベース領域(3)の膜厚を測定する際に、p型ベース領域(3)およびn型ドリフト層(2)を成長させたn型基板(1)に対してp型ベース領域(3)側から赤外光を照射する。そして、p型ベース領域(3)とn型ドリフト層(2)との界面の反射光ではなく、n型ドリフト層(2)とn型基板(1)との界面の反射光およびp型ベース領域(3)の表面からの反射光の干渉光を測定する。このようにすれば、p型ベース領域(3)とn型ドリフト層(2)との合計膜厚である二層膜厚T2を測定することが可能となる。したがって、二層膜厚T2からn型ドリフト層(2)である一層膜厚T1を差し引いたT2-T1を演算することで、p型ベース領域(3)の膜厚を算出することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)