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1. (WO2018043229) 半導体レーザ素子
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国際公開番号: WO/2018/043229 国際出願番号: PCT/JP2017/030033
国際公開日: 08.03.2018 国際出願日: 23.08.2017
IPC:
H01S 5/042 (2006.01) ,H01S 5/22 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
04
励起方法またはその装置,例.ポンピング
042
電気的励起
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
20
半導体本体の光を導波する構造または形状
22
リッジまたはストライプ構造を有するもの
出願人:
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
発明者:
川口 真生 KAWAGUCHI Masao; --
瀧川 信一 TAKIGAWA Shinichi; --
仲 希 NAKA Nozomi; --
代理人:
鎌田 健司 KAMATA Kenji; JP
前田 浩夫 MAEDA Hiroo; JP
優先権情報:
2016-16818530.08.2016JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT LASER À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体レーザ素子
要約:
(EN) A semiconductor laser element (100) is provided with: a first conductivity-type first semiconductor layer (first cladding layer (2)); a light emitting layer (active layer (4)) formed on the first semiconductor layer; a second conductivity-type second semiconductor layer (second cladding layer (7)) formed on the light emitting layer; and an electrode (p-side electrode (11)) formed on a ridge portion 9 formed on the second semiconductor layer. The electrode is divided into a plurality of portions at a position where the integrated value of the optical intensity of high-order mode oscillation becomes maximum.
(FR) Un élément laser à semi-conducteur comprend : une première couche semi-conductrice de premier type de conductivité (première couche de gainage (2)); une couche électroluminescente (couche active (4)) formée sur la première couche semi-conductrice; une seconde couche semi-conductrice de second type de conductivité (seconde couche de gainage (7)) formée sur la couche électroluminescente; et une électrode (électrode côté p (11)) formée sur une partie de crête formée sur la seconde couche semi-conductrice. L'électrode est divisée en une pluralité de portions à une position où la valeur intégrée de l'intensité optique d'une oscillation de mode d'ordre élevé devient maximale.
(JA) 半導体レーザ素子(100)は、第1導電型の第1半導体層(第1クラッド層(2))と、第1半導体層の上に形成された発光層(活性層(4))と、発光層の上に形成された第2導電型の第2半導体層(第2クラッド層(7))と、第2半導体層に形成されたリッジ部9の上に形成された電極(p側電極(11))と、を備え、この電極は、高次モード発振の光強度の積算値が極大となる位置で複数に分割されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)