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1. (WO2018043171) SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びに、欠陥識別方法
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国際公開番号: WO/2018/043171 国際出願番号: PCT/JP2017/029740
国際公開日: 08.03.2018 国際出願日: 21.08.2017
IPC:
C30B 29/36 (2006.01) ,C23C 16/42 (2006.01) ,C30B 25/20 (2006.01) ,G01N 21/956 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
36
炭化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
42
けい化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02
エピタキシャル層成長
18
基板によって特徴づけられたもの
20
基板がエピタキシャル層と同一物質であるもの
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
21
光学的手段,すなわち.赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析
84
特殊な応用に特に適合したシステム
88
きず,欠陥,または汚れの存在の調査
95
調査対象物の材質や形に特徴付けられるもの
956
物体表面のパターンの検査
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
出願人:
昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 東京都港区芝大門一丁目13番9号 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518, JP
発明者:
郭 玲 GUO Ling; JP
亀井 宏二 KAMEI Koji; JP
代理人:
及川 周 OIKAWA Shu; JP
荒 則彦 ARA Norihiko; JP
勝俣 智夫 KATSUMATA Tomoo; JP
優先権情報:
2016-17019431.08.2016JP
2016-18606223.09.2016JP
発明の名称: (EN) SIC EPITAXIAL WAFER, PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND DEFECT IDENTIFICATION METHOD
(FR) TRANCHE ÉPITAXIALE DE SIC, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET PROCÉDÉ D'IDENTIFICATION DE DÉFAUT
(JA) SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びに、欠陥識別方法
要約:
(EN) In this SiC epitaxial wafer, a SiC epitaxial layer is formed on a 4H-SiC single crystal substrate that has an off angle and a substrate carbon inclusion density of 0.1-2.5 atoms/cm2. The SiC epitaxial wafer is characterized in that the total density of large pit defects and triangular defects included in the SiC epitaxial layer as a result of substrate carbon inclusion is 0.6 defects/cm2 or less.
(FR) Selon la présente invention, dans cette tranche épitaxiale de SiC, une couche épitaxiale de SiC est formée sur un substrat monocristallin de 4H-SiC qui a un angle d'inclinaison et une densité d'inclusion de carbone substrat de 0,1 à 2,5 atomes/cm2. La tranche épitaxiale de SiC est caractérisée en ce que la densité totale de grands défauts de creux et de défauts triangulaires compris dans la couche épitaxiale de SiC à la suite de l'inclusion de carbone substrat est de 0,6 défaut/cm2 ou moins.
(JA) このSiCエピタキシャルウェハは、オフ角を有し、0.1~2.5個/cmの基板カーボンインクルージョン密度を有する4H-SiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル層が形成されたSiCエピタキシャルウェハであって、前記SiCエピタキシャル層に含まれる、基板カーボンインクルージョン起因のラージピット欠陥および三角欠陥の合計密度が0.6個/cm以下であることを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)