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1. (WO2018043171) SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びに、欠陥識別方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/043171 国際出願番号: PCT/JP2017/029740
国際公開日: 08.03.2018 国際出願日: 21.08.2017
IPC:
C30B 29/36 (2006.01) ,C23C 16/42 (2006.01) ,C30B 25/20 (2006.01) ,G01N 21/956 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
出願人: SHOWA DENKO K.K.[JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518, JP
発明者: GUO Ling; JP
KAMEI Koji; JP
代理人: OIKAWA Shu; JP
ARA Norihiko; JP
KATSUMATA Tomoo; JP
優先権情報:
2016-17019431.08.2016JP
2016-18606223.09.2016JP
発明の名称: (EN) SIC EPITAXIAL WAFER, PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND DEFECT IDENTIFICATION METHOD
(FR) TRANCHE ÉPITAXIALE DE SIC, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET PROCÉDÉ D'IDENTIFICATION DE DÉFAUT
(JA) SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びに、欠陥識別方法
要約: front page image
(EN) In this SiC epitaxial wafer, a SiC epitaxial layer is formed on a 4H-SiC single crystal substrate that has an off angle and a substrate carbon inclusion density of 0.1-2.5 atoms/cm2. The SiC epitaxial wafer is characterized in that the total density of large pit defects and triangular defects included in the SiC epitaxial layer as a result of substrate carbon inclusion is 0.6 defects/cm2 or less.
(FR) Selon la présente invention, dans cette tranche épitaxiale de SiC, une couche épitaxiale de SiC est formée sur un substrat monocristallin de 4H-SiC qui a un angle d'inclinaison et une densité d'inclusion de carbone substrat de 0,1 à 2,5 atomes/cm2. La tranche épitaxiale de SiC est caractérisée en ce que la densité totale de grands défauts de creux et de défauts triangulaires compris dans la couche épitaxiale de SiC à la suite de l'inclusion de carbone substrat est de 0,6 défaut/cm2 ou moins.
(JA) このSiCエピタキシャルウェハは、オフ角を有し、0.1~2.5個/cmの基板カーボンインクルージョン密度を有する4H-SiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル層が形成されたSiCエピタキシャルウェハであって、前記SiCエピタキシャル層に含まれる、基板カーボンインクルージョン起因のラージピット欠陥および三角欠陥の合計密度が0.6個/cm以下であることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)