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1. (WO2018043076) 絶縁基板およびこれを用いた半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/043076    International Application No.:    PCT/JP2017/028889
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu Aug 10 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 25/07
H01L 23/12
H01L 25/00
H01L 25/18
H02M 7/48
H05K 1/16
Applicants: HITACHI METALS, LTD.
日立金属株式会社
Inventors: HOZOJI Hiroshi
宝蔵寺 裕之
HAYASHI Kenji
林 健児
ITOH Hiroyuki
伊藤 博之
IMAMURA Hisayuki
今村 寿之
NAGATOMO Hiroyuki
長友 浩之
Title: 絶縁基板およびこれを用いた半導体装置
Abstract:
パワー半導体素子のゲート抵抗値を大きくすることによりスイッチング時間のばらつきを調整することができる一方で、ゲート抵抗による損失が大きくなり、システム全体としての電力効率が低下するという課題がある。そこで、回路素子の電力効率に対する影響を抑制しつつ、回路素子のスイッチング速度を揃えることができる、絶縁基板を提供する。本発明に係る絶縁基板において、配線層の一部は制御信号回路層として形成されており、前記制御信号回路層の一部は回路素子が制御信号を受け取るときの入力抵抗値を増加させる抵抗層として形成されている(図2参照)。