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1. (WO2018043008) 半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/043008    International Application No.:    PCT/JP2017/027956
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu Aug 03 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 23/12
C09J 7/02
C09J 201/00
H01L 21/301
H01L 21/52
H01L 21/56
H01L 23/00
H01L 23/29
H01L 23/31
Applicants: LINTEC CORPORATION
リンテック株式会社
Inventors: SHINODA Tomonori
篠田 智則
NEMOTO Taku
根本 拓
NAKANISHI Hayato
中西 勇人
Title: 半導体装置の製造方法
Abstract:
粘着剤層を有する支持基板(10)の前記粘着剤層に、回路面(W1)及び素子裏面(W2)を有する複数の半導体素子を、素子裏面(W2)を前記粘着剤層に向けて貼着する工程と、支持基板(10)に貼着された前記半導体素子を封止して、封止体(3)を形成する工程と、外部端子電極を封止体(3)に形成して、支持基板(10)に貼着された前記半導体素子と前記外部端子電極とを電気的に接続させる工程と、前記半導体素子と前記外部端子電極とを電気的に接続させた後に、支持基板(10)を封止体(3)から剥離して前記半導体素子の素子裏面(W2)を露出させる工程と、露出した前記半導体素子の素子裏面(W2)に硬化性の保護膜形成層を形成する工程と、前記保護膜形成層を硬化させて保護膜を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。