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1. (WO2018042973) パワーモジュールおよびその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/042973    International Application No.:    PCT/JP2017/027407
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Jul 29 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 23/24
H01L 23/28
H01L 23/29
H01L 23/31
H01L 25/07
H01L 25/18
H02M 1/00
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: TAYA, Masaki
田屋 昌樹
Title: パワーモジュールおよびその製造方法
Abstract:
高温時、低温時、低気圧時のシリコーンゲル内の気泡の発生及びシリコーンゲルと絶縁基板との剥離を抑制することで、絶縁性能の劣化を抑制し、絶縁性能の確保が可能なパワーモジュールを得る。表面にパワー半導体素子(7)を搭載した絶縁基板(2)と、絶縁基板(2)の裏面に接合されたベース板(1)と、ベース板(1)に固定され絶縁基板(2)を取り囲むケース(3)と、ケース(3)に固定され密閉領域を形成する蓋(4)と、密閉領域の全域に充填され内部応力が圧縮応力に保たれる充填部材であるシリコーンゲル(11)とを備えたパワーモジュールである。