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1. (WO2018042973) パワーモジュールおよびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/042973 国際出願番号: PCT/JP2017/027407
国際公開日: 08.03.2018 国際出願日: 28.07.2017
IPC:
H01L 23/24 (2006.01) ,H01L 23/28 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 1/00 (2007.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者: TAYA, Masaki; JP
代理人: MURAKAMI, Kanako; JP
MATSUI, Jumei; JP
KURATANI, Yasutaka; JP
DATE, Kenro; JP
優先権情報:
2016-17051101.09.2016JP
発明の名称: (EN) POWER MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) MODULE DE PUISSANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) パワーモジュールおよびその製造方法
要約: front page image
(EN) Provided is a power module capable of suppressing deterioration of insulation performance and ensuring the insulation performance by suppressing occurrence of air bubbles in a silicone gel, and peeling between the silicone gel and an insulating substrate at a high temperature, low temperature, and low atmospheric pressure. This power module is provided with: an insulating substrate (2) having a power semiconductor element (7) that is mounted on the front surface; a base plate (1) bonded to the rear surface of the insulating substrate (2); a case (3), which is fixed to the base plate (1), and which surrounds the insulating substrate (2); a cover (4), which is fixed to the case (3), and which forms an airtight region; and a silicone gel (11), i.e., a filling member, which is applied to the whole region of the airtight region, and internal stress of which is kept at compression stress.
(FR) L'invention concerne un module de puissance capable d'empêcher la détérioration des performances d'isolation et d'assurer les performances d'isolation en empêchant l'apparition de bulles d'air dans un gel de silicone, et le pelage entre le gel de silicone et un substrat isolant à une température élevée, une basse température et une faible pression atmosphérique. Ce module de puissance est pourvu : d'un substrat isolant (2) ayant un élément semi-conducteur de puissance (7) qui est monté sur la surface avant; d'une plaque de base (1) liée à la surface arrière du substrat isolant (2); d'un boîtier (3), qui est fixé à la plaque de base (1), et qui entoure le substrat isolant (2); d'un couvercle (4), qui est fixé au boîtier (3), et qui forme une région étanche à l'air; et d'un gel de silicone (11), c'est-à-dire un élément de remplissage, qui est appliqué à l'ensemble de la région étanche à l'air, une contrainte interne de cette dernière étant maintenue à une contrainte de compression.
(JA) 高温時、低温時、低気圧時のシリコーンゲル内の気泡の発生及びシリコーンゲルと絶縁基板との剥離を抑制することで、絶縁性能の劣化を抑制し、絶縁性能の確保が可能なパワーモジュールを得る。表面にパワー半導体素子(7)を搭載した絶縁基板(2)と、絶縁基板(2)の裏面に接合されたベース板(1)と、ベース板(1)に固定され絶縁基板(2)を取り囲むケース(3)と、ケース(3)に固定され密閉領域を形成する蓋(4)と、密閉領域の全域に充填され内部応力が圧縮応力に保たれる充填部材であるシリコーンゲル(11)とを備えたパワーモジュールである。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)