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1. (WO2018042886) 受光素子、受光素子の製造方法、撮像素子および電子機器
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国際公開番号: WO/2018/042886 国際出願番号: PCT/JP2017/024983
国際公開日: 08.03.2018 国際出願日: 07.07.2017
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/0264 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
0248
半導体本体に特徴のあるもの
0256
材料に特徴のあるもの
0264
無機物材料
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
吉際 潤 YOSHIGIWA, Jun; JP
代理人:
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
優先権情報:
2016-17195902.09.2016JP
発明の名称: (EN) LIGHT-RECEIVING ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-RECEIVING ELEMENT, IMAGING ELEMENT, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE RÉCEPTION DE LUMIÈRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE RÉCEPTION DE LUMIÈRE, ÉLÉMENT D'IMAGERIE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 受光素子、受光素子の製造方法、撮像素子および電子機器
要約:
(EN) A light-receiving element provided with: a photoelectric conversion layer including a group III-V semiconductor; a plurality of first-electroconductivity-type regions in which the signal charge generated by the photoelectric conversion layer migrates; and a second-electroconductivity-type region that extends through the photoelectric conversion layer and is provided between adjacent first-electroconductivity-type regions.
(FR) La présente invention concerne un élément de réception de lumière comprenant : une couche de conversion photoélectrique comprenant un semi-conducteur du groupe III-V ; une pluralité de régions de premier type de conductivité électrique dans lesquelles la charge de signal générée par la couche de conversion photoélectrique migre ; et une région de second type de conductivité électrique qui s'étend à travers la couche de conversion photoélectrique et qui est disposée entre des régions de premier type de conductivité électrique adjacentes.
(JA) III-V族半導体を含む光電変換層と、前記光電変換層で発生した信号電荷が移動する、複数の第1導電型領域と、前記光電変換層を貫通して、隣り合う前記第1導電型領域の間に設けられた第2導電型領域とを備えた受光素子。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)