国際・国内特許データベース検索

1. (WO2018042873) 絶縁ゲート型半導体素子の駆動回路

Pub. No.:    WO/2018/042873    International Application No.:    PCT/JP2017/024692
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu Jul 06 01:59:59 CEST 2017
IPC: H03K 17/567
H02M 1/08
H03K 17/16
Applicants: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
富士電機株式会社
Inventors: MORI, Takahiro
森 貴浩
Title: 絶縁ゲート型半導体素子の駆動回路
Abstract:
制御信号に応じて絶縁ゲート型半導体素子のゲートに供給する出力電流を制御して該絶縁ゲート型半導体素子をオン・オフする駆動回路において、その出力電流特性を簡易に検査する。絶縁ゲート型半導体素子のゲートに供給する電流を生成する電流源と、駆動信号に応じて前記電流源が生成した電流の前記絶縁ゲート型半導体素子のゲートへの供給を制御する電流出力回路と、前記絶縁ゲート型半導体素子の動作温度に応じた制御電圧に従って前記電流源が生成する電流の大きさを制御する出力電流制御回路と、更にこの出力電流制御回路に設けられて前記制御電圧の外部からの検出を可能とする制御電圧検出端子とを備える。