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1. (WO2018042792) 化合物半導体及びその製造方法ならびに窒化物半導体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/042792    国際出願番号:    PCT/JP2017/020513
国際公開日: 08.03.2018 国際出願日: 01.06.2017
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), C23C 14/06 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01), H01S 5/042 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
出願人: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 4-1-8, Hon-cho, Kawaguchi-shi, Saitama 3320012 (JP)
発明者: FUJIOKA Hiroshi; (JP).
UENO Kohei; (JP)
代理人: OHNO Seiji; (JP).
UMEDA Shinsuke; (JP).
KATAYAMA Ken-ichi; (JP)
優先権情報:
2016-169994 31.08.2016 JP
発明の名称: (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR
(FR) SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 化合物半導体及びその製造方法ならびに窒化物半導体
要約: front page image
(EN)This compound semiconductor constitutes a high-performance semiconductor device by having a high electron concentration of 5×1019 cm-3 or more, and exhibiting an electron mobility of 46 cm2/V∙s or more, and low electrical resistance. The present invention provides an n conductivity-type group 13 nitride semiconductor that can be film-formed at a temperature within a range from a room temperature to 700°C on a substrate having a large area.
(FR)Ce semi-conducteur composé constitue un dispositif à semi-conducteur à haute performance en ayant une concentration d'électrons élevée supérieure ou égale à 5×1019 cm-3, et en présentant une mobilité d'électrons supérieure ou égale à 46 cm2/V∙s, et une faible résistance électrique. La présente invention concerne un semi-conducteur au nitrure du groupe 13 du type à conductivité n qui peut être formé sous forme de film à une température dans une plage allant d'une température ambiante à 700 °C sur un substrat ayant une grande surface.
(JA)化合物半導体は、5×1019cm-3以上という高い電子濃度を有し、46cm/V・s以上の電子移動度を示し、低電気抵抗性を示すことにより、高性能の半導体デバイスを構成する。本発明により、室温~700℃で大面積の基板上に成膜し得るn型導電型の13族窒化物半導体が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)