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1. (WO2018042756) 原子層成長装置および原子層成長方法
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国際公開番号: WO/2018/042756 国際出願番号: PCT/JP2017/016189
国際公開日: 08.03.2018 国際出願日: 24.04.2017
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/458 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
455
ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
458
反応室の基板を支えるのに使われる方法に特徴があるもの
出願人:
株式会社日本製鋼所 THE JAPAN STEEL WORKS, LTD. [JP/JP]; 東京都品川区大崎一丁目11番1号 11-1, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032, JP
発明者:
鷲尾 圭亮 WASHIO, Keisuke; JP
松本 竜弥 MATSUMOTO, Tatsuya; JP
代理人:
特許業務法人筒井国際特許事務所 TSUTSUI & ASSOCIATES; 東京都新宿区新宿2丁目3番10号 新宿御苑ビル3階 3F, Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
優先権情報:
2016-16899431.08.2016JP
発明の名称: (EN) ATOMIC LAYER GROWTH APPARATUS AND ATOMIC LAYER GROWTH METHOD
(FR) APPAREIL DE CROISSANCE DE COUCHE ATOMIQUE ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE COUCHE ATOMIQUE
(JA) 原子層成長装置および原子層成長方法
要約:
(EN) An atomic layer growth apparatus is provided with: a film formation container 11 in which a film formation process is performed; a stage 14 for holding a substrate 100 and capable of moving vertically; a susceptor 50 for holding the substrate 100, the susceptor 50 being held on the stage 14; and a stage stopper 17 for stopping the rising of the stage 14 and making contact with the susceptor 50 to thereby demarcate between a film formation space S in which the film formation process is performed and a conveying space in which the substrate 100 is conveyed. Furthermore, the susceptor 50 is provided with: an upper susceptor substrate holding part 52B for holding the substrate 100, and an upper susceptor peripheral edge part 52A that is disposed around the upper susceptor substrate holding part 52B, a susceptor anti-sticking material 15 being provided on the upper susceptor peripheral edge part 52A.
(FR) Un appareil de croissance de couche atomique est pourvu : d'un récipient de formation de film 11 dans lequel un processus de formation de film est effectué; un étage 14 pour maintenir un substrat 100 et apte à se déplacer verticalement; un suscepteur 50 pour maintenir le substrat 100, le suscepteur 50 étant maintenu sur l'étage 14; et un élément d'arrêt d'étage 17 pour arrêter l'élévation de l'étage 14 et établir un contact avec le suscepteur 50 pour ainsi délimiter entre un espace de formation de film S dans lequel le processus de formation de film est réalisé et un espace de transport dans lequel le substrat 100 est transporté. En outre, le suscepteur 50 est pourvu : d'une partie supérieure de maintien de substrat suscepteur 52B pour maintenir le substrat 100, et une partie supérieure de bord périphérique de suscepteur 52A qui est disposée autour de la partie supérieur de maintien de substrat de suscepteur 52B, un matériau anti-collage de suscepteur 15 étant disposé sur la partie supérieure de bord périphérique de suscepteur.
(JA) 原子層成長装置は、成膜処理が行われる成膜容器11と、基板100を保持する上下移動可能なステージ14と、ステージ14上に保持され、かつ基板100を保持するサセプタ50と、ステージ14の上昇を止め、かつサセプタ50との接触により、上記成膜処理が行われる成膜空間Sと基板100の搬送が行われる搬送空間とを区画するステージストッパー17と、を備えている。さらに、サセプタ50は、基板100を保持する上部サセプタ基板保持部52Bと、上部サセプタ基板保持部52Bの周囲に配置された上部サセプタ周縁部52Aと、を備え、上部サセプタ周縁部52A上にサセプタ防着材15が設けられている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)