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1. (WO2018042707) 半導体装置
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国際公開番号: WO/2018/042707 国際出願番号: PCT/JP2017/006776
国際公開日: 08.03.2018 国際出願日: 23.02.2017
IPC:
H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 21/28][IPC code unknown for H01L 21/336][IPC code unknown for H01L 29/417][IPC code unknown for H01L 29/78]
出願人:
国立研究開発法人科学技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 埼玉県川口市本町四丁目1番8号 1-8, Hon-cho 4-chome, Kawaguchi-shi, Saitama 3320012, JP
発明者:
鳥海 明 TORIUMI Akira; JP
西村 知紀 NISHIMURA Tomonori; JP
代理人:
大野 聖二 OHNO Seiji; JP
梅田 慎介 UMEDA Shinsuke; JP
片山 健一 KATAYAMA Ken-ichi; JP
優先権情報:
2016-17093901.09.2016JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約:
(EN) According to the present invention, a contact layer comprising a material with an electron concentration of less than 1 × 1022 cm-3 is directly provided on a surface of a semiconductor crystal of an n-type conductivity with a band gap at room temperature of not more than 1.2 eV. In this way, the wave function penetration from the contact layer side to the semiconductor surface side is suppressed, and, as a result, the generation of a barrier φB due to the Fermi level pinning phenomenon can be suppressed, and a lower resistivity and more highly ohmic contact can be achieved.
(FR) Selon la présente invention, une couche de contact comprenant un matériau possédant une concentration d'électrons inférieure à 1 × 10 22 cm - 3 est directement disposée sur une surface d'un cristal semi-conducteur d'une conductivité de type n avec une bande interdite à température ambiante inférieure ou égale à 1,2 eV. De cette manière, la pénétration de la fonction d'onde, du côté de la couche de contact au côté de la surface du semi-conducteur, est supprimée et, en conséquence, la génération d'une barrière φ B due au phénomène d'ancrage de niveau de Fermi peut être supprimée et une résistivité inférieure et un contact plus fortement ohmique peuvent être obtenus.
(JA) 本発明では、室温におけるバンドギャップが1.2eV以下のn型導電型を有する半導体結晶の表面に、電子濃度が1×1022cm-3未満の材料から成るコンタクト層を直接設けることとした。これにより、コンタクト層側から半導体表面側への波動関数の浸み出しが抑制され、その結果、フェルミレベルピンニング現象に起因する障壁φの発生が抑制され、より抵抗率の低いオーミック性の高い接触を実現することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)