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1. (WO2018042541) 半導体装置および半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/042541    International Application No.:    PCT/JP2016/075465
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu Sep 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/78
H01L 21/28
H01L 21/316
H01L 21/336
H01L 29/12
Applicants: OSAKA UNIVERSITY
国立大学法人大阪大学
Inventors: WATANABE Heiji
渡部 平司
YAMADA Takahiro
山田 高寛
NOZAKI Mikito
野▲崎▼ 幹人
HOSOI Takuji
細井 卓治
SHIMURA Takayoshi
志村 考功
Title: 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abstract:
半導体装置(100)は、下地層(10)と、界面層(20)と、堆積層(30)とを備える。下地層(10)は、ガリウムを有する窒化物半導体を含む。界面層(20)は、下地層(10)に隣接する。界面層(20)は、酸化ガリウムを含む。堆積層(30)は、界面層(20)に隣接する。堆積層(30)は、界面層(20)よりもバンドギャップが大きい。界面層(20)は結晶性を有することが好ましい。界面層(20)はα相Ga2O3を有することが好ましい。