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1. (WO2018042534) 半導体結晶基板、赤外線検出装置、光半導体装置、半導体装置、熱電変換素子、半導体結晶基板の製造方法及び赤外線検出装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/042534    International Application No.:    PCT/JP2016/075431
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu Sep 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/20
G01J 1/02
H01L 21/203
H01L 21/336
H01L 27/144
H01L 27/146
H01L 29/205
H01L 29/78
H01L 31/10
H01L 33/00
H01L 35/26
H01S 5/343
Applicants: FUJITSU LIMITED
富士通株式会社
Inventors: OKUMURA, Shigekazu
奥村 滋一
TOMABECHI, Shuichi
苫米地 秀一
SUZUKI, Ryo
鈴木 僚
Title: 半導体結晶基板、赤外線検出装置、光半導体装置、半導体装置、熱電変換素子、半導体結晶基板の製造方法及び赤外線検出装置の製造方法
Abstract:
【課題】表面の平坦性の高いGaSb層が形成された半導体結晶基板を提供する。 【解決手段】GaSbまたはInAsを含む材料により形成された結晶基板と、前記結晶基板の上に、GaSbを含む材料により形成されたn型導電性の第1のバッファ層と、前記第1のバッファ層の上に、GaSbを含む材料により形成されたp型導電性の第2のバッファ層と、を有することを特徴とする半導体結晶基板により上記課題を解決する。