このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018040475) THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/040475 国際出願番号: PCT/CN2017/070829
国際公開日: 08.03.2018 国際出願日: 11.01.2017
IPC:
H01L 21/28 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
出願人:
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 No.9-2, Tangming Road, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
発明者:
石龙强 SHI, Longqiang; CN
代理人:
北京聿宏知识产权代理有限公司 YUHONG INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 中国北京市 西城区宣武门外大街6号庄胜广场第一座西翼713室吴大建/王浩 WU Dajian/WANG Hao West Wing, Suite 713, One Junefield Plaza 6 Xuanwumenwai Street, Xicheng District Beijing 100052, CN
優先権情報:
201610793911.331.08.2016CN
発明の名称: (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHE MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种薄膜晶体管及其制造方法
要約:
(EN) Provided are a thin film transistor and a manufacturing method therefor. A source electrode and a drain electrode of the thin film transistor respectively have a first metal layer (13), a second metal layer (12) and a third metal layer (11), wherein the first metal layer (13) is in contact with an indium gallium zinc oxide layer (4), and a metal diffusion layer (8) is arranged at the contact surface. The method for manufacturing the thin film transistor comprises performing sequential deposition to obtain a first metal layer (13), a second metal layer (12), a third metal layer (11), and then a PV layer (10), subjecting the PV layer (10) to a high temperature annealing treatment so that the metal in the first metal layer (13) diffuses into the indium gallium zinc oxide layer (4) to form a metal diffusion layer (8), the metal diffusion layer (8) allowing the first metal layer (13) and the indium gallium zinc oxide layer (4) to form an ohmic contact to reduce the contact resistance between the source electrode, the drain electrode and the indium gallium zinc oxide layer (4).
(FR) L’invention concerne un transistor à couche mince et son procédé de fabrication. Une électrode de source et une électrode de drain du transistor à couche mince comportent respectivement une première couche métallique (13), une deuxième couche métallique (12) et une troisième couche métallique (11), la première couche métallique (13) étant en contact avec une couche d'oxyde de zinc-indium-gallium (4), et une couche de diffusion métallique (8) étant disposée au niveau de la surface de contact. Le procédé de fabrication du transistor à couche mince comprend la réalisation d'un dépôt séquentiel pour obtenir une première couche métallique (13), une deuxième couche métallique (12), une troisième couche métallique (11), puis une couche PV (10), soumettre la couche PV (10) à un traitement de recuit à haute température de sorte que le métal dans la première couche métallique (13) se diffuse dans la couche d'oxyde de zinc-indium-gallium (4) pour former une couche de diffusion métallique (8), la couche de diffusion métallique (8) permettant à la première couche métallique (13) et la couche d'oxyde de zinc-indium-gallium (4) de former un contact ohmique pour réduire la résistance de contact entre l'électrode de source, l'électrode de drain et la couche d'oxyde de zinc-indium-gallium (4).
(ZH) 一种薄膜晶体管及其制造方法,所述薄膜晶体管的源极和漏极分别具有第一金属层(13)、第二金属层(12)、第三金属层(11),第一金属层(13)与铟镓锌氧化物层(4)相接触,并在接触面处设置有金属扩散层(8)。该薄膜晶体管的制造方法,依次沉积得到第一金属层(13)、第二金属层(12)、第三金属层(11),然后得到PV层(10),对PV层(10)进行高温退火处理,使得第一金属层(13)中的金属扩散到铟镓锌氧化物层(4)形成金属扩散层(8),该金属扩散层(8)使得第一金属层(13)和铟镓锌氧化物层(4)形成欧姆接触,降低源极、漏极与铟镓锌氧化物层(4)的接触电阻。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 中国語 (ZH)
国際出願言語: 中国語 (ZH)