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1. (WO2018038133) 炭化珪素半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/038133    International Application No.:    PCT/JP2017/030039
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu Aug 24 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/78
H01L 29/06
H01L 29/12
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: AKAGI Ai
赤木 愛
HINO Shiro
日野 史郎
SUGAWARA Katsutoshi
菅原 勝俊
SUGAHARA Kazuyuki
須賀原 和之
ITO Masanao
伊藤 正尚
Title: 炭化珪素半導体装置
Abstract:
第1導電型のドリフト層(21)上に第2導電型の第1ウェル領域(41)および第2ウェル領域(42)が設けられる。第1導電型のソース領域(80)は第1ウェル領域(41)上に設けられる。フィールド絶縁膜(31)は、第2ウェル領域(42)上に設けられ、ゲート絶縁膜(30)よりも厚い。層間絶縁膜(32)は、ソース領域(80)上のソースコンタクトホール(HS)と、第2ウェル領域(42)上の第1ウェルコンタクトホール(HW1)とを有する。ソース電極(10)は、ソースコンタクトホール(HS)を通ってソース領域(80)に接続され、かつ第1ウェルコンタクトホール(HW1)を通って第2ウェル領域(42)に接続される。絶縁体層(90)は、第2ウェル領域(42)上に設けられ、フィールド絶縁膜(31)よりも薄い。導電体層(99)は、絶縁体層(90)のみを介して第2ウェル領域(42)上に配置された部分を有する。