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1. (WO2018037907) 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/037907 国際出願番号: PCT/JP2017/028711
国際公開日: 01.03.2018 国際出願日: 08.08.2017
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,C23C 14/04 (2006.01) ,C23C 14/56 (2006.01) ,H01L 21/203 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
04
選択された表面部分の被覆,例.マスクを用いるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
56
連続被覆のために特に適合した装置;真空を維持するための装置,例.真空ロック
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
203
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072
電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0745
AIVBIVヘテロ接合からなる,例.Si/Ge,SiGe/SiまたはSi/SiC太陽電池
0747
結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる,例.薄い真性層を備えたヘテロ接合またはHIT(R)の太陽電池とのヘテロ結合
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
18
これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
発明者:
松崎 淳介 MATSUZAKI Junsuke; JP
高橋 明久 TAKAHASHI Hirohisa; JP
代理人:
阿部 英樹 ABE Hideki; JP
石島 茂男 ISHIJIMA Shigeo; JP
優先権情報:
2016-16444125.08.2016JP
発明の名称: (EN) FILM-FORMING APPARATUS, FILM-FORMING METHOD, AND SOLAR CELL PRODUCTION METHOD
(FR) APPAREIL DE FORMATION DE FILM, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法
要約:
(EN) The present invention provides technology with which film formation can be performed inexpensively without generating short circuits between the sputtered films formed on the two sides of a substrate on which films are to be formed. In the present invention: a substrate holder 11 is conveyed by a first conveying section so as to pass through a first film-forming region in a substrate holder conveyance mechanism 3; a film is formed by sputtering on a first surface of a substrate 50 on which films are to be formed that is being held on the substrate holder 11; the substrate holder 11 is turned back and conveyed from the first conveying section to a second conveying section while maintaining vertical relationships; the substrate holder 11 is conveyed by a second conveying section in the direction opposite to the conveyance direction of the first conveying section so as to pass through a second film-forming region; and a film is formed by sputtering on the second surface of the substrate 50 on which films are being formed. The substrate holder 11 has openings 14 and 15 that expose the first and second surfaces of the substrates 50 on which films are being formed and is provided with masking parts 16 for shielding the edges of the substrates 50 on which films are being formed from the film-forming material from the second sputtering source.
(FR) La présente invention concerne une technologie grâce à laquelle une formation de film peut être réalisée de manière peu coûteuse sans générer de courts-circuits entre les films déposés par pulvérisation cathodique formés des deux côtés d'un substrat sur lequel des films doivent être formés. Selon la présente invention : un support de substrat (11) est transporté par une première section de transport de façon à passer à travers une première région de formation de film dans un mécanisme de transport de support de substrat (3); un film est formé par pulvérisation cathodique sur une première surface d'un substrat (50) sur lequel des films doivent être formés qui est maintenu sur le support de substrat (11); le support de substrat (11) est retourné et transporté de la première section de transport à une seconde section de transport tout en maintenant des relations verticales; le support de substrat (11) est transporté par une seconde section de transport dans la direction opposée à la direction de transport de la première section de transport de façon à passer à travers une seconde région de formation de film; et un film est formé par pulvérisation cathodique sur la seconde surface du substrat (50) sur lequel des films sont formés. Le support de substrat (11) possède des ouvertures (14) et (15) qui exposent les première et seconde surfaces des substrats (50) sur lesquels des films sont formés et est pourvu de parties de masquage (16) permettant de protéger les bords des substrats (50) sur lesquels des films sont formés à partir du matériau de formation de film à partir de la seconde source de pulvérisation cathodique.
(JA) 本発明は、成膜対象基板の両面側に形成されるスパッタ膜同士の短絡を発生させることなく安価に成膜を行うことができる技術を提供する。本発明では、基板保持器搬送機構3において、第1の搬送部によって基板保持器11を第1の成膜領域を通過するように搬送し、基板保持器11に保持された成膜対象基板50の第1面上にスパッタによって成膜を行い、基板保持器11を上下関係を維持した状態で第1の搬送部から第2の搬送部に向って折り返して搬送し、第2の搬送部によって基板保持器11を第2の成膜領域を通過するように第1の搬送部の搬送方向と反対方向に搬送し、成膜対象基板50の第2面上にスパッタによる成膜を行う。基板保持器11は、成膜対象基板50の第1及び第2面が露出する開口部14、15を有するとともに、成膜対象基板50の縁部に対する第2のスパッタ源からの成膜材料を遮蔽する遮蔽部16が設けられている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)