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1. (WO2018037898) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/037898    International Application No.:    PCT/JP2017/028661
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Aug 09 01:59:59 CEST 2017
IPC: H02M 1/08
Applicants: DENSO CORPORATION
株式会社デンソー
Inventors: KATO Yoshitaka
加藤 良隆
KOMIYA Kenji
小宮 健治
SHINDO Yusuke
進藤 祐輔
HAYASHI Yoshinori
林 慶徳
WAKABAYASHI Kenichi
若林 健一
Title: 半導体装置
Abstract:
半導体装置は、ゲート端子へのゲート電圧の印加により出力端子間に出力電流が流れるパワースイッチング素子(410)のオンオフを制御する。この装置は出力電流に相関する電流値を検出する出力電流検出部(130)と、パワースイッチング素子の出力端子間電圧に相関する電圧を検出する電圧検出部(140)と、ゲート電圧を所定の値にクランプするクランプ回路(120)と、電圧検出部により検出された検出電圧に基づいてクランプ回路を制御してゲート電圧を調整する制御部とを備える。制御部は、検出電圧に対応し、パワースイッチング素子の短絡時において流れる出力電流がパワースイッチング素子の短絡を検出するための閾値電流を超えるようにしつつ、最低電圧に設定されたゲート電圧となるようにクランプ回路を制御する。