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1. (WO2018037864) マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
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国際公開番号: WO/2018/037864 国際出願番号: PCT/JP2017/028045
国際公開日: 01.03.2018 国際出願日: 02.08.2017
IPC:
G03F 1/32 (2012.01) ,G03F 1/26 (2012.01) ,G03F 1/58 (2012.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
26
位相シフトマスク;PSMブランク;その準備
32
減衰PSM,例.ハーフトーンPSM又は半透明な位相シフト部を有するPSM;その準備
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
26
位相シフトマスク;PSMブランク;その準備
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
54
吸収材,例.不透明な材料
58
2つ以上の異なる吸収材層,例.積層された複数層の吸収材
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
HOYA株式会社 HOYA CORPORATION [JP/JP]; 東京都新宿区西新宿六丁目10番1号 6-10-1 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1608347, JP
発明者:
岩下 浩之 IWASHITA, Hiroyuki; JP
松本 淳志 MATSUMOTO, Atsushi; JP
野澤 順 NOZAWA, Osamu; JP
代理人:
永田 豊 NAGATA, Yutaka; JP
大島 孝文 OSHIMA, Takafumi; JP
太田 司 OTA, Tsukasa; JP
優先権情報:
2016-16551826.08.2016JP
発明の名称: (EN) MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, METHOD FOR MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE, MASQUE DE DÉPHASAGE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MASQUE DE DÉPHASAGE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
要約:
(EN) It tends to be difficult to create a phase shift film having a transmittance of 20% or more from a single layer phase shift film made of silicon nitride material; as such, provided is a mask blank including a phase shift film having a transmittance of 20% or more created from two or more sets of laminate structures, each set consisting of a low-permeability layer and a high-permeability layer disposed in order from a translucent substrate side. The mask blank includes the phase shift film disposed on the translucent substrate, the phase shift film having a function for transmitting exposure light from an ArF excimer laser at a transmittance of 20% or more. The phase shift film has two or more sets of laminate structures, each set consisting of a low-permeability layer and a high-permeability layer. The low-permeability layer is made of the silicon nitride material and the high-permeability layer is made of silicon oxide material. The thickness of the high-permeability layer provided at the uppermost level is greater than the thickness of a high-permeability layer provided at a level excluding the upper most level. The thickness of the low-permeability layer is greater than the thickness of a high-permeability layer provided at a level excluding the uppermost level.
(FR) La création d'un film de déphasage ayant un facteur de transmission de 20 % ou plus à partir d'un film de déphasage monocouche fait de matériau de nitrure de silicium est plutôt difficile. Cette invention concerne une ébauche de masque comprenant un film de déphasage ayant un facteur de transmission de 20 % ou plus créé à partir de deux ensembles ou plus de structures stratifiées, chaque ensemble étant constitué d'une couche à faible perméabilité et d'une couche à haute perméabilité disposées dans l'ordre à partir d'un côté d'un substrat translucide. L'ébauche de masque comprend le film de déphasage disposé sur le substrat translucide, le film de déphasage ayant une fonction de transmission d'une lumière d'exposition à partir d'un laser à excimère ArF à une transmittance de 20 % ou plus. Le film de déphasage comprend au moins deux ensembles de structures stratifiées, chaque ensemble étant constitué d'une couche à faible perméabilité et d'une couche à haute perméabilité. La couche à faible perméabilité est constituée du matériau de nitrure de silicium et la couche à haute perméabilité est constituée d'un matériau d'oxyde de silicium. L'épaisseur de la couche à haute perméabilité disposée au niveau le plus haut est supérieure à l'épaisseur d'une couche à haute perméabilité disposée à un niveau autre que le niveau le plus haut. L'épaisseur de la couche à faible perméabilité est supérieure à l'épaisseur d'une couche à haute perméabilité disposée à un niveau autre que le niveau le plus haut.
(JA) 窒化ケイ素材料からなる単層の位相シフト膜では実現が困難な20%以上の透過率を有する位相シフト膜を、透光性基板側から順に配置された低透過層と高透過層とからなる1組の積層構造を2組以上有する構造により実現し、そのような位相シフト膜を備えたマスクブランクを提供する。 透光性基板上に位相シフト膜を備えたマスクブランクであって、位相シフト膜はArFエキシマレーザーの露光光を20%以上の透過率で透過させる機能を有し、位相シフト膜は低透過層と高透過層とからなる1組の積層構造を2組以上有し、低透過層は窒化ケイ素系材料で形成され、高透過層は酸化ケイ素系材料で形成され、最上に設けられている高透過層の厚さは最上以外に設けられている高透過層の厚さよりも厚く、低透過層の厚さは最上以外に設けられている高透過層の厚さよりも厚い。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)