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1. (WO2018037863) マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法
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国際公開番号: WO/2018/037863 国際出願番号: PCT/JP2017/028043
国際公開日: 01.03.2018 国際出願日: 02.08.2017
IPC:
G03F 1/50 (2012.01) ,G03F 1/54 (2012.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
50
グループG03F1/20からG03F1/26に包含されないマスクブランク;その準備
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
54
吸収材,例.不透明な材料
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
出願人:
HOYA株式会社 HOYA CORPORATION [JP/JP]; 東京都新宿区西新宿六丁目10番1号 6-10-1 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1608347, JP
発明者:
宍戸 博明 SHISHIDO, Hiroaki; JP
代理人:
永田 豊 NAGATA, Yutaka; JP
大島 孝文 OSHIMA, Takafumi; JP
太田 司 OTA, Tsukasa; JP
優先権情報:
2016-16555026.08.2016JP
発明の名称: (EN) MASK BLANK, TRANSFER MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE, MASQUE DE TRANSFERT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a mask blank (100) of which a light-shielding film pattern (2a) has high ArF light resistance, and which solves the problem of detection sensitivity being insufficient when mask detection is performed using long-wavelength light having a wavelength of 800-900 nm. The present invention provides a mask blank having a light-shielding film (2) provided on a transmissive substrate (1), wherein the mask blank is characterized in that the light-shielding film is a single-layer film formed from a material containing silicon and nitrogen, the optical density of an ArF excimer laser relative to exposed light is 2.5 or greater, the obverse-surface reflectance is 40% or less, the reverse-surface reflectance is 40% or less, the transmittance with respect to light having a wavelength of 900 nm is 50% or less, the extinction coefficient is 0.04 or greater, and the thickness is 60 nm or less.
(FR) Le but de la présente invention est d' obtenir une ébauche de masque (100) dont un motif de film de protection contre la lumière (2a) a une résistance élevée à la lumière ArF, et qui résout le problème d'insuffisance de la sensibilité de détection lorsque la détection de masque est effectuée à l'aide d'une lumière à longue longueur d'onde ayant une longueur d'onde de 800-900 nm. La présente invention concerne une ébauche de masque ayant un film de protection contre la lumière (2) disposé sur un substrat transmissif (1), l'ébauche de masque étant caractérisée en ce que le film de protection contre la lumière est un film monocouche formé à partir d'un matériau contenant du silicium et de l'azote, la densité optique d'un laser à excimères ArF par rapport à la lumière exposée est de 2,5 ou plus, la réflectance de surface avers est de 40 % ou moins, la réflectance de surface inverse est de 40 % ou moins, la transmittance par rapport à la lumière ayant une longueur d'onde de 900 nm est de 50 % ou moins, le coefficient d'extinction est de 0,04 ou plus, et l'épaisseur est inférieure ou égale à 60 nm.
(JA) 本発明は、遮光膜パターン(2a)が高いArF耐光性を有し、且つ、波長が800nm以上900nm以下の長波長光を用いてマーク検出を行う際の検出感度が不足するという課題を解決したマスクブランク(100)を提供することを目的としている。透光性基板(1)上に遮光膜(2)を備えたマスクブランクであって、遮光膜は、ケイ素と窒素を含有する材料で形成された単層膜であり、ArFエキシマレーザーの露光光に対する光学濃度が2.5以上、表面反射率が40%以下、裏面反射率が40%以下であり、900nmの波長の光に対する透過率が50%以下、消衰係数が0.04以上であり、厚さが60nm以下であることを特徴とするマスクブランクである。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)