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1. (WO2018037831) 抵抗率標準サンプルの製造方法及びエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法
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国際公開番号: WO/2018/037831 国際出願番号: PCT/JP2017/027384
国際公開日: 01.03.2018 国際出願日: 28.07.2017
IPC:
H01L 21/66 (2006.01) ,G01N 27/00 (2006.01) ,G01N 27/04 (2006.01) ,G01N 27/22 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66
製造または処理中の試験または測定
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
27
電気的,電気化学的,または磁気的手段の利用による材料の調査または分析
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
27
電気的,電気化学的,または磁気的手段の利用による材料の調査または分析
02
インピーダンスの調査によるもの
04
抵抗の調査によるもの
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
27
電気的,電気化学的,または磁気的手段の利用による材料の調査または分析
02
インピーダンスの調査によるもの
22
容量の調査によるもの
出願人:
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
久米 史高 KUME Fumitaka; JP
代理人:
好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio; JP
小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro; JP
優先権情報:
2016-16474925.08.2016JP
発明の名称: (EN) RESISTIVITY STANDARD SAMPLE MANUFACTURING METHOD AND EPITAXIAL WAFER RESISTIVITY MEASURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉCHANTILLON ÉTALON DE RÉSISTIVITÉ ET PROCÉDÉ DE MESURE DE RÉSISTIVITÉ DE TRANCHE ÉPITAXIALE
(JA) 抵抗率標準サンプルの製造方法及びエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法
要約:
(EN) The present invention provides a resistivity standard sample manufacturing method comprising: a step of preparing a first conductivity-type silicon single-crystalline substrate; a step of measuring, using a thickness measuring device traceable to a national standard, the thickness of the silicon single-crystalline substrate; a step of fabricating an epitaxial wafer having a p-n junction by growing a second conductivity-type silicon epitaxial layer on the silicon single-crystalline substrate; a step of measuring the thickness of the epitaxial wafer using the thickness measuring device traceable to the national standard; a step of determining the thickness of the silicon epitaxial layer from the thicknesses of the epitaxial wafer and the silicon single-crystalline substrate; and a step of measuring the resistivity of the silicon epitaxial layer using a resistivity measuring device traceable to a resistivity standard substance. The resistivity standard sample manufacturing method enables the manufacture of a resistivity standard sample that is traceable to the resistivity standard substance, such as NIST.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'échantillon étalon de résistivité comprenant : une étape de préparation d'un substrat de silicium monocristallin de premier type de conductivité; une étape de mesure, à l'aide d'un dispositif de mesure d'épaisseur traçable à un étalon national, de l'épaisseur du substrat de silicium monocristallin; une étape de fabrication d'une tranche épitaxiale ayant une jonction p-n par augmentation d'une couche épitaxiale de silicium de second type de conductivité sur le substrat de silicium monocristallin; une étape de mesure de l'épaisseur de la tranche épitaxiale à l'aide du dispositif de mesure d'épaisseur traçable à l'étalon national; une étape de détermination de l'épaisseur de la couche épitaxiale de silicium à partir des épaisseurs de la tranche épitaxiale et du substrat de silicium monocristallin; et une étape de mesure de la résistivité de la couche épitaxiale de silicium à l'aide d'un dispositif de mesure de résistivité traçable à une substance étalon de résistivité. Le procédé de fabrication d'échantillon étalon de résistivité permet de fabriquer un échantillon étalon de résistivité qui est traçable à la substance étalon de résistivité, telle que NIST.
(JA) 本発明は、第1導電型シリコン単結晶基板の準備工程と、国家標準へのトレーサビリティーのある厚さ測定機器を用いてシリコン単結晶基板の厚さを測定する工程と、第2導電型シリコンエピタキシャル層をシリコン単結晶基板上に成長してp-n接合を有するエピタキシャルウェーハを作製する工程と、国家標準へのトレーサビリティーのある厚さ測定機器を用いてエピタキシャルウェーハの厚さを測定する工程と、エピタキシャルウェーハとシリコン単結晶基板の厚さからシリコンエピタキシャル層の厚さを求める工程と、抵抗率標準物質へのトレーサビリティーのある抵抗率測定機器を用いたシリコンエピタキシャル層の抵抗率測定工程とを有する抵抗率標準サンプルの製造方法である。これにより、NIST等の抵抗率標準物質へのトレーサビリティーを有する抵抗率標準サンプルを製造できる抵抗率標準サンプルの製造方法が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)