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1. (WO2018037756) レーザアニール装置、結晶化膜付き基板の検査方法、及び半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/037756    International Application No.:    PCT/JP2017/025652
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Jul 15 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/268
H01L 21/20
H01L 21/336
H01L 21/66
H01L 29/786
Applicants: THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
株式会社日本製鋼所
Inventors: OHMORI Kenichi
大森 賢一
CHUNG Suk-Hwan
鄭 石煥
SATO Ryosuke
佐藤 亮介
MACHIDA Masashi
町田 政志
Title: レーザアニール装置、結晶化膜付き基板の検査方法、及び半導体装置の製造方法
Abstract:
本実施形態にかかるレーザアニール装置(1)は、基板(100)上のアモルファスシリコン膜(101a)を結晶化してポリシリコン膜(101b)を形成するためのレーザ光(L1)を出射するレーザ光源(11)と、レーザ光(L1)を集光してシリコン膜(101)に照射するプロジェクションレンズ(13)と、プローブ光(L2)を出射するプローブ光源(21)と、シリコン膜(101)を透過したプローブ光(L3)を検出する光検出器(25)と、光検出器(25)から出力される検出信号の検出値の標準偏差を求め、標準偏差に基づいてシリコン膜(101)の結晶状態を判定する処理装置(26)と、を備えたものである。