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1. (WO2018037756) レーザアニール装置、結晶化膜付き基板の検査方法、及び半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/037756 国際出願番号: PCT/JP2017/025652
国際公開日: 01.03.2018 国際出願日: 14.07.2017
IPC:
H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
出願人: THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.[JP/JP]; 11-1, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032, JP
発明者: OHMORI Kenichi; JP
CHUNG Suk-Hwan; JP
SATO Ryosuke; JP
MACHIDA Masashi; JP
代理人: IEIRI Takeshi; JP
優先権情報:
2016-16369324.08.2016JP
2017-11251607.06.2017JP
発明の名称: (EN) LASER ANNEAL DEVICE, METHOD FOR INSPECTING SUBSTRATE WITH ATTACHED CRYSTALLIZED FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE RECUIT LASER, PROCÉDÉ D'INSPECTION DE SUBSTRAT AVEC FILM CRISTALLISÉ FIXÉ, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) レーザアニール装置、結晶化膜付き基板の検査方法、及び半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN) A laser anneal device (1) of the present embodiment is provided with: a laser light source (11) which emits laser light (L1) for forming a polysilicon film (101b) by crystallizing an amorphous silicon film (101a) on a substrate (100); a projection lens (13) which condenses the laser light (L1) and irradiates the silicon film (101) with the laser light (L1); a probe light source (21) which emits probe light (L2); a light detector (25) which detects probe light (L3) that has passed through the silicon film (101); and a processing device (26) which obtains a standard deviation of the detected value of a detection signal output from the light detector (25), and which determines a crystal state of the silicon film (101) on the basis of the standard deviation.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de recuit laser (1) comportant : une source de lumière laser (11) qui émet une lumière laser (L1) pour former un film de polysilicium (101b) par cristallisation d'un film de silicium amorphe (101a) sur un substrat (100) ; une lentille de projection (13) qui condense la lumière laser (L1) et irradie le film de silicium (101) avec la lumière laser (L1) ; une source de lumière de sonde (21) qui émet une lumière de sonde (L2) ; un détecteur de lumière (25) qui détecte la lumière de sonde (L3) qui a traversé le film de silicium (101) ; et un dispositif de traitement (26) qui obtient un écart-type de la valeur détectée d'un signal de détection émis par le détecteur de lumière (25), et qui détermine un état cristallin du film de silicium (101) sur la base de l'écart-type.
(JA) 本実施形態にかかるレーザアニール装置(1)は、基板(100)上のアモルファスシリコン膜(101a)を結晶化してポリシリコン膜(101b)を形成するためのレーザ光(L1)を出射するレーザ光源(11)と、レーザ光(L1)を集光してシリコン膜(101)に照射するプロジェクションレンズ(13)と、プローブ光(L2)を出射するプローブ光源(21)と、シリコン膜(101)を透過したプローブ光(L3)を検出する光検出器(25)と、光検出器(25)から出力される検出信号の検出値の標準偏差を求め、標準偏差に基づいてシリコン膜(101)の結晶状態を判定する処理装置(26)と、を備えたものである。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)