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1. (WO2018037755) シリコン単結晶ウェーハの製造方法、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、シリコン単結晶ウェーハ及びシリコンエピタキシャルウェーハ

Pub. No.:    WO/2018/037755    International Application No.:    PCT/JP2017/025625
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Jul 14 01:59:59 CEST 2017
IPC: C30B 29/06
C30B 15/04
H01L 21/304
H01L 21/322
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD.
信越半導体株式会社
Inventors: KOBAYASHI Takeshi
小林 武史
Title: シリコン単結晶ウェーハの製造方法、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、シリコン単結晶ウェーハ及びシリコンエピタキシャルウェーハ
Abstract:
本発明は、シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、窒素濃度が5×1011~5×1014atoms/cm3であり、1000℃と1150℃の2段階の酸化性雰囲気の熱処理を行ったときに酸化誘起積層欠陥が検出されず、100nm以上のボイド状欠陥が検出されず、10nm以上100nm未満のボイド状欠陥を0.01個/cm2以上有するシリコン単結晶を準備する工程と、該シリコン単結晶をスライス後に研磨加工してシリコン単結晶ウェーハに加工する工程と、該シリコン単結晶ウェーハをH2及びArの少なくともいずれかを含むガス雰囲気で、1050℃以上1350℃以下の温度で熱処理する工程を有し、熱処理後に、研磨加工を実施しないシリコン単結晶ウェーハの製造方法である。これにより、高密度BMDを面内均一に形成することができ、ボイド状欠陥が少なく、PIDが発生せず、DZ幅が広く、酸化膜耐圧特性が良好で、ウェーハの外周平坦度の良いシリコン単結晶ウェーハが提供される。