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1. (WO2018037747) 半導体レーザ、電子機器、および半導体レーザの駆動方法
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国際公開番号: WO/2018/037747 国際出願番号: PCT/JP2017/025342
国際公開日: 01.03.2018 国際出願日: 12.07.2017
IPC:
H01S 5/22 (2006.01) ,H01S 5/0625 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
20
半導体本体の光を導波する構造または形状
22
リッジまたはストライプ構造を有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
06
レーザ出力パラメータの制御,例.活性媒質を制御することによるもの
062
電極に印加する電圧を変えることによるもの
0625
多分割レーザにおけるもの
出願人:
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
発明者:
大野 智輝 ONO, Tomoki; JP
大畑 豊治 OOHATA, Toyoharu; JP
小山 享宏 KOYAMA, Takahiro; JP
滝口 幹夫 TAKIGUCHI, Mikio; JP
田中 雅之 TANAKA, Masayuki; JP
代理人:
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
優先権情報:
2016-16493425.08.2016JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER, ELECTRONIC APPARATUS, AND DRIVE METHOD FOR SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE COMMANDE POUR LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ、電子機器、および半導体レーザの駆動方法
要約:
(EN) The semiconductor laser according to one embodiment of the present disclosure has a ridge part that is structured such that a plurality of gain regions and a plurality of q-switch regions are alternately arranged in the extension direction of the ridge part with separation regions therebetween. Each separation region has a separation groove that spatially separates adjacent gain and q-switch regions. The separation groove has a bottom surface that is in a second semiconductor layer and positioned higher than portions thereof that correspond to the foot of either side of the ridge part.
(FR) Le laser à semi-conducteur selon un mode de réalisation de la présente invention comporte une partie de crête qui est structurée de telle sorte qu'une pluralité de régions de gain et une pluralité de régions de commutateur q sont disposées en alternance dans la direction d'extension de la partie de crête avec des régions de séparation entre elles. Chaque région de séparation comporte une rainure de séparation qui sépare spatialement des régions de gain et de commutateur q adjacentes. La rainure de séparation a une surface inférieure qui est dans une seconde couche semi-conductrice et positionnée plus haut que des portions de celle-ci qui correspondent au pied de chaque côté de la partie de crête.
(JA) 本開示の一実施の形態の半導体レーザにおいて、リッジ部は、複数の利得領域および複数のQスイッチ領域がリッジ部の延在方向に、分離領域を介して交互に配置された構造を有している。各分離領域は、互いに隣接する利得領域およびQスイッチ領域を空間分離する分離溝を有している。分離溝は、第2半導体層内であって、かつリッジ部の両脇のすそ野に相当する部分よりも高い位置に底面を有している。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)