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1. (WO2018037705) 半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/037705    国際出願番号:    PCT/JP2017/023554
国際公開日: 01.03.2018 国際出願日: 27.06.2017
IPC:
H01L 29/861 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
出願人: HOSEI UNIVERSITY [JP/JP]; 2-17-1 Fujimi, Chiyoda-ku, Tokyo 1028160 (JP).
SCIOCS COMPANY LIMITED [JP/JP]; 880, Isagozawa-cho, Hitachi-shi, Ibaraki 3191418 (JP).
SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP)
発明者: MISHIMA Tomoyoshi; (JP).
HORIKIRI Fumimasa; (JP)
代理人: FUKUOKA Masahiro; (JP).
KITTAKA Hideo; (JP)
優先権情報:
2016-166155 26.08.2016 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)This semiconductor device has: an n conductivity type first semiconductor layer that is formed of a gallium nitride semiconductor; a p conductivity type second semiconductor layer, which is laminated directly on the first semiconductor layer, and which is formed of a gallium nitride semiconductor, to which a p type impurity is added to a concentration of 1×1020cm-3 or higher; a first electrode that is disposed so as to be in contact with the first semiconductor layer; and a second electrode that is disposed so as to be in contact with the second semiconductor layer. The semiconductor device functions as a pn junction diode.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend : une première couche semi-conductrice de type de conductivité n qui est constituée d'un semi-conducteur de nitrure de gallium ; une seconde couche semi-conductrice de type de conductivité p, qui est stratifiée directement sur la première couche semi-conductrice, et qui est constituée d'un semi-conducteur au nitrure de gallium, auquel une impureté de type p est ajoutée à une concentration supérieure ou égale à 1×1020cm-3 ; une première électrode qui est disposée de manière à être en contact avec la première couche semi-conductrice ; et une seconde électrode qui est disposée de manière à être en contact avec la seconde couche semi-conductrice. Le dispositif à semi-conducteur fonctionne comme une diode de jonction pn.
(JA)半導体装置は、窒化ガリウム系半導体で形成され、n型の導電型を有する第1半導体層と、第1半導体層の直上に積層され、p型不純物が1×1020cm-3以上の濃度で添加された窒化ガリウム系半導体で形成され、p型の導電型を有する第2半導体層と、第1半導体層と接触するように配置された第1電極と、第2半導体層と接触するように配置された第2電極と、を有し、pn接合ダイオードとして機能する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)