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1. (WO2018037705) 半導体装置およびその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/037705    International Application No.:    PCT/JP2017/023554
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Jun 28 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/861
C23C 16/34
H01L 21/20
H01L 21/205
H01L 21/329
H01L 29/06
H01L 29/47
H01L 29/868
H01L 29/872
H01L 33/32
Applicants: HOSEI UNIVERSITY
学校法人法政大学
SCIOCS COMPANY LIMITED
株式会社サイオクス
SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
住友化学株式会社
Inventors: MISHIMA Tomoyoshi
三島 友義
HORIKIRI Fumimasa
堀切 文正
Title: 半導体装置およびその製造方法
Abstract:
半導体装置は、窒化ガリウム系半導体で形成され、n型の導電型を有する第1半導体層と、第1半導体層の直上に積層され、p型不純物が1×1020cm-3以上の濃度で添加された窒化ガリウム系半導体で形成され、p型の導電型を有する第2半導体層と、第1半導体層と接触するように配置された第1電極と、第2半導体層と接触するように配置された第2電極と、を有し、pn接合ダイオードとして機能する。