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1. (WO2018037701) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/037701    International Application No.:    PCT/JP2017/023349
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue Jun 27 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/78
H01L 29/06
H01L 29/12
H01L 29/47
H01L 29/872
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: NAKAO Yukiyasu
中尾 之泰
EBIHARA Kohei
海老原 洪平
HINO Shiro
日野 史郎
Title: 半導体装置
Abstract:
ゲート絶縁膜の破壊を抑制可能な技術を提供することを目的とする。半導体装置は、MOSFETであって、ショットキーバリアダイオードを内蔵する複数の半導体スイッチング素子と、ウェル領域のうち規定領域と逆側の第1領域上方に配設され、当該第1領域と電気的に接続された第1オーミック電極と、ウェル領域の第1領域において露出された半導体層上に配設された第1ショットキー電極と、第1オーミック電極及び第1ショットキー電極と電気的に接続されるとともに、ソース電極と電気的に接続された配線とを備える。