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1. (WO2018037667) 半導体装置、撮像装置、および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/037667 国際出願番号: PCT/JP2017/021173
国際公開日: 01.03.2018 国際出願日: 07.06.2017
IPC:
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/308 (2006.01) ,H01L 23/532 (2006.01)
出願人: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION[JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者: KAWASHIMA, Hiroyuki; JP
代理人: KAMEYA, Yoshiaki; JP
KANEMOTO, Tetsuo; JP
HAGIWARA, Yasushi; JP
MATSUMOTO, Kazunori; JP
優先権情報:
2016-16487825.08.2016JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, IMAGE PICKUP DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、撮像装置、および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN) [Problem] To provide: a semiconductor device wherein mechanical strength and reliability are maintained, while reducing inter-wiring capacitance by means of a gap; an image pickup device; and a method for manufacturing the semiconductor device. [Solution] Disclosed is a semiconductor device that is provided with: a multilayer wiring layer, in which insulating layers and diffusion preventing layers are alternately laminated, and wiring is provided inside; a through hole, which is provided by penetrating one or more insulating layers from one surface of the multilayer wiring layer, and the inner side of which is covered with a protection side wall; and a gap that is provided in one or more insulating layers, said gap being provided directly under the through hole.
(FR) [problème] fournir : un dispositif à semi-conducteur dans lequel la résistance mécanique et la fiabilité sont maintenues, tout en réduisant la capacité inter-câblage au moyen d'un espace; un dispositif de capture d'image; et un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteur. [Solution] L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur qui comporte : une couche de câblage multicouche, dans laquelle des couches isolantes et des couches de prévention de diffusion sont stratifiées en alternance, et un câblage est disposé à l'intérieur; un trou traversant, qui est fournie en pénétrant une ou plusieurs couches isolantes à partir d'une surface de la couche de câblage multicouche, et dont le côté intérieur est recouvert d'une paroi latérale de protection; et un espace qui est disposé dans une ou plusieurs couches isolantes, ledit espace étant disposé directement sous le trou traversant.
(JA) 【課題】空隙によって配線間容量が低減されつつ、かつ機械強度および信頼性が維持された半導体装置、撮像装置、および半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】絶縁層と拡散防止層とが交互に積層され、内部に配線が設けられた多層配線層と、前記多層配線層の一方の表面から少なくとも1つ以上の絶縁層を貫通して設けられ、内側が保護側壁で覆われたスルーホールと、前記スルーホールの直下の少なくとも1つ以上の絶縁層に設けられた空隙と、を備える、半導体装置。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)