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1. (WO2018037630) 熱処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/037630    国際出願番号:    PCT/JP2017/017682
国際公開日: 01.03.2018 国際出願日: 10.05.2017
IPC:
H01L 21/26 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
出願人: SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585 (JP)
発明者: FURUKAWA Masashi; (JP)
代理人: YOSHITAKE Hidetoshi; (JP).
ARITA Takahiro; (JP)
優先権情報:
2016-164564 25.08.2016 JP
発明の名称: (EN) HEAT TREATMENT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE
(JA) 熱処理装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a heat treatment device wherein substrate supporting pins are formed of a light absorbing material that increases temperature by absorbing light applied from a halogen lamp, said substrate supporting pins being provided upright on an upper surface of a holding plate formed of quartz, and directly supporting a semiconductor wafer. When heating using a halogen lamp, light outputted from the halogen lamp passes through the holding plate, a part of the light is absorbed by the substrate supporting pins, and the temperature of the substrate supporting pins is increased. Consequently, a temperature reduction in the vicinities of areas where the substrate supporting pins and the semiconductor wafer are in contact with each other is suppressed, thereby uniformizing temperature distribution within a semiconductor wafer surface when heating using the halogen lamp.
(FR)L'invention concerne un dispositif de traitement thermique dans lequel des broches de support de substrat sont formées d'un matériau absorbant la lumière qui augmente la température par absorption de la lumière appliquée à partir d'une lampe halogène, lesdites broches de support de substrat étant disposées verticalement sur une surface supérieure d'une plaque de maintien formée de quartz, et supportant directement une tranche de semi-conducteur. Lors du chauffage à l'aide d'une lampe halogène, la lumière émise par la lampe halogène passe à travers la plaque de maintien, une partie de la lumière est absorbée par les broches de support de substrat, et la température des broches de support de substrat est augmentée. Par conséquent, une réduction de température dans les voisinages de zones où les broches de support de substrat et la tranche de semi-conducteur sont en contact l'une avec l'autre est empêchée, ce qui permet d'uniformiser la distribution de température à l'intérieur d'une surface de tranche de semi-conducteur lors du chauffage à l'aide de la lampe halogène.
(JA)石英の保持プレートの上面に立設されて半導体ウェハーを直接に支持する基板支持ピンがハロゲンランプから照射された光を吸収して昇温する光吸収材料にて形成されている。ハロゲンランプによる加熱時には、ハロゲンランプから出射された光が保持プレートを透過し、その一部が基板支持ピンによって吸収され、基板支持ピンが昇温する。これにより、基板支持ピンと半導体ウェハーとの接触箇所近傍における温度低下を抑制してハロゲンランプによる加熱時における半導体ウェハーの面内温度分布を均一にすることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)