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1. (WO2018037626) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、及び固体撮像素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/037626    国際出願番号:    PCT/JP2017/016438
国際公開日: 01.03.2018 国際出願日: 25.04.2017
IPC:
H01L 21/322 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01)
出願人: SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634 (JP)
発明者: Masada Ayumi; (JP)
代理人: SUGIMURA Kenji; (JP)
優先権情報:
2016-162079 22.08.2016 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER, EPITAXIAL SILICON WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE TRANCHE ÉPITAXIALE DE SILICIUM, TRANCHE ÉPITAXIALE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE PRISE DE VUE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、及び固体撮像素子の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided are: an epitaxial silicon wafer wherein metal contamination can be suppressed by achieving higher gettering performance; and a method for manufacturing the epitaxial silicon wafer. Disclosed is a method for manufacturing an epitaxial silicon wafer 100 having: a silicon wafer 10; a first silicon epitaxial layer 12 on the silicon wafer 10; a first modified layer 14 formed by injecting carbon into a surface layer portion of the first silicon epitaxial layer 12; and a second silicon epitaxial layer 16 on the first modified layer 14. The method is characterized in that: the peak concentration of an oxygen concentration profile of the first modified layer 14 after forming the second silicon epitaxial layer 16 is 2×1017 atoms/cm3 or less; and the oxygen concentration of the second silicon epitaxial layer 16 is equal to or lower than a SIMS detection lower limit value.
(FR)L'invention concerne : une tranche épitaxiale de silicium dans laquelle une contamination métallique peut être empêchée en obtenant une performance de getter supérieure; et un procédé de fabrication de la tranche épitaxiale de silicium . L'invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche épitaxiale de silicium 100 ayant : une tranche de silicium 10; une première couche épitaxiale de silicium 12 sur la tranche de silicium 10; une première couche modifiée 14 formée par injection de carbone dans une portion de couche de surface de la première couche épitaxiale de silicium 12; et une seconde couche épitaxiale de silicium 16 sur la première couche modifiée 14. Le procédé est caractérisé en ce que : la concentration de crête d'un profil de concentration en oxygène de la première couche modifiée 14 après la formation de la seconde couche épitaxiale de silicium 16 est de 2 × 1017 atomes/cm 3 ou moins; et la concentration en oxygène de la seconde couche épitaxiale de silicium 16 est égale ou inférieure à une valeur limite inférieure de détection SIMS.
(JA)より高いゲッタリング能力を発揮することで、金属汚染を抑制することができるエピタキシャルシリコンウェーハ、およびその製造方法を提供する。シリコンウェーハ10と、シリコンウェーハ10上の第1シリコンエピタキシャル層12と、第1シリコンエピタキシャル層12の表層部に炭素が注入されてなる第1改質層14と、第1改質層14上の第2シリコンエピタキシャル層16と、を有するエピタキシャルシリコンウェーハ100の製造方法において、第2シリコンエピタキシャル層16形成後の、第1改質層14における酸素濃度プロファイルのピーク濃度を2×1017atoms/cm3以下とし、かつ、第2シリコンエピタキシャル層16の酸素濃度をSIMS検出下限値以下とすることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)