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1. (WO2018037626) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、及び固体撮像素子の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/037626    International Application No.:    PCT/JP2017/016438
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Apr 26 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/322
H01L 21/20
H01L 21/205
H01L 21/265
H01L 27/146
Applicants: SUMCO CORPORATION
株式会社SUMCO
Inventors: Masada Ayumi
柾田 亜由美
Title: エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、及び固体撮像素子の製造方法
Abstract:
より高いゲッタリング能力を発揮することで、金属汚染を抑制することができるエピタキシャルシリコンウェーハ、およびその製造方法を提供する。シリコンウェーハ10と、シリコンウェーハ10上の第1シリコンエピタキシャル層12と、第1シリコンエピタキシャル層12の表層部に炭素が注入されてなる第1改質層14と、第1改質層14上の第2シリコンエピタキシャル層16と、を有するエピタキシャルシリコンウェーハ100の製造方法において、第2シリコンエピタキシャル層16形成後の、第1改質層14における酸素濃度プロファイルのピーク濃度を2×1017atoms/cm3以下とし、かつ、第2シリコンエピタキシャル層16の酸素濃度をSIMS検出下限値以下とすることを特徴とする。