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1. (WO2018037530) 半導体装置およびその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/037530    International Application No.:    PCT/JP2016/074818
Publication Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Aug 26 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/336
H01L 21/28
H01L 21/316
H01L 21/318
H01L 21/338
H01L 29/423
H01L 29/49
H01L 29/778
H01L 29/78
H01L 29/812
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: NANJO Takuma
南條 拓真
HAYASHIDA Tetsuro
林田 哲郎
FURUKAWA Akihiko
古川 彰彦
Title: 半導体装置およびその製造方法
Abstract:
半導体装置において、ノーマリオフ動作にて十分に大きなドレイン電流を得ることが可能な技術を提供することを目的とする。半導体装置は、Alx1Iny1Ga1-x1-y1N(0≦x1≦1、0≦y1≦1)からなるチャネル層3aと、チャネル層3aの表面側に互いに離間して形成されたソース電極5およびドレイン電極6と、チャネル層3aの表面のうちの少なくともソース電極5およびドレイン電極6の下方部分からチャネル層3a内部に向けて互いに離間して形成された高濃度n型不純物領域7,8と、高濃度n型不純物領域7,8間におけるチャネル層3aの表面を覆うように形成されたゲート絶縁膜層9aと、ゲート絶縁膜層9aの表面に形成されたゲート電極10とを備え、オン時のソース電極5およびドレイン電極6間の電流密度が10mA/mm以上である。