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1. (WO2018037450) 光デバイス及び光デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2018/037450 国際出願番号: PCT/JP2016/074369
国際公開日: 01.03.2018 国際出願日: 22.08.2016
IPC:
H01S 5/32 (2006.01) ,H01S 5/026 (2006.01) ,H01S 5/20 (2006.01) ,H01S 5/323 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
30
活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
32
PN接合からなるもの,例.ヘテロまたはダブルヘテロ構造
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
02
レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
026
モノリシックに集積された複数の構成,例.導波管,モニター用フォトデテクターまたは駆動素子
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
20
半導体本体の光を導波する構造または形状
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
30
活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
32
PN接合からなるもの,例.ヘテロまたはダブルヘテロ構造
323
A↓I↓I↓IB↓V族化合物におけるもの,例.AlGaAsレーザ
出願人:
富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP
発明者:
倉橋 輝雄 KURAHASHI, Teruo; JP
河口 研一 KAWAGUCHI, Kenichi; JP
代理人:
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) OPTICAL DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL DEVICE
(FR) DISPOSITIF OPTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 光デバイス及び光デバイスの製造方法
要約:
(EN) Disclosed is an optical device that has: a lower cladding layer formed of an amorphous insulating material on a substrate; a first cladding region formed of a compound semiconductor single crystal, an active region, and a second cladding region, which are formed on the lower cladding layer; an upper cladding layer formed of an insulating material on the active region; a first electrode connected to the first cladding region; and a second electrode connected to the second cladding region. The first cladding region, the active region, and the second cladding region are formed parallel to the surface of the substrate.
(FR) L'invention concerne un dispositif optique qui comprend : une couche de gainage inférieure formée d'un matériau isolant amorphe sur un substrat; une première région de gainage formée d'un monocristal de composé semi-conducteur , une région active et une seconde région de gainage, qui sont formées sur la couche de gainage inférieure; une couche de gainage supérieure formée d'un matériau isolant sur la région active; une première électrode connectée à la première région de gainage; et une seconde électrode connectée à la seconde région de gainage. La première région de gainage, la région active et la seconde région de gainage sont formées parallèlement à la surface du substrat.
(JA) 基板の上にアモルファスの絶縁体により形成された下部クラッド層と、前記下部クラッド層の上に化合物半導体の単結晶により形成された第1のクラッド領域、活性領域及び第2のクラッド領域と、前記活性領域の上に絶縁体により形成された上部クラッド層と、前記第1のクラッド領域に接続された第1の電極と、前記第2のクラッド領域に接続された第2の電極と、を有し、前記第1のクラッド領域、前記活性領域及び前記第2のクラッド領域は、前記基板の面に平行に形成されている光デバイス。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)