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1. (WO2018034322) MOS型光変調器及びその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/034322    International Application No.:    PCT/JP2017/029548
Publication Date: Fri Feb 23 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Aug 18 01:59:59 CEST 2017
IPC: G02F 1/025
G02F 1/01
Applicants: THE UNIVERSITY OF TOKYO
国立大学法人東京大学
Inventors: TAKENAKA Mitsuru
竹中 充
HAN Jae-Hoon
韓 在勲
TAKAGI Shinichi
高木 信一
Title: MOS型光変調器及びその製造方法
Abstract:
変調効率が高いMOS型光変調器及びその製造方法を提供する。MOS型光変調器(22)は、シリコン基板(11)上に、SiO2層(31)、Si層(32)、ゲート絶縁膜(33)、ゲート層(34)等が積層されている。Si層(32)の表面にリブ(32a)が設けられリブ型の光導波路(21)が構成される。Si層(32)は、リブ(32a)を含めnドープされたn型半導体である。ゲート層(34)は、InGaAsPからなる第1層(34a)と、InPからなる第2層(34b)とを積層したものである。第1層(34a)と第2層(34b)とは、nドープされたn型半導体である。MOS型光変調器(22)は、ゲート絶縁膜(33)とゲート層(34)の界面に蓄積される電子密度の変化で屈折率が変化する。