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1. (WO2018034127) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/034127    International Application No.:    PCT/JP2017/027320
Publication Date: Fri Feb 23 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Jul 28 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/739
H01L 29/06
H01L 29/12
H01L 29/78
Applicants: ROHM CO., LTD.
ローム株式会社
Inventors: MORI, Seigo
森 誠悟
AKETA, Masatoshi
明田 正俊
Title: 半導体装置
Abstract:
【課題】小電流領域および大電流領域の両方における良好なスイッチング特性と、良好な逆方向耐圧とを両立することができる半導体装置を提供する。 【解決手段】表面、その反対側の裏面および端面を有する半導体層と、前記半導体層の表面部に形成されたMISトランジスタ構造と、前記半導体層の前記裏面側に互いに隣接して形成された第1導電型部および第2導電型部と、前記半導体層の前記裏面上に形成され、前記第1導電型部とショットキー接合を形成し、前記第2導電型部とオーミック接触を形成する第1電極とを含む、半導体装置を提供する。